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特性:与MMBTA94互补。 功率耗散为350mW。 高稳定性和高可靠性。 符合J-STD-020的MSL 1级,LF最大峰值为260°C

hFE:420-800,丝印:3G

特性:AM/FM 放大器。功率耗散:200mW。高稳定性和高可靠性。符合 J-STD-020 的 MSL 1 级,LF 最大峰值为 260°C

采用小型SOT23(TO - 236AB)表面贴装器件(SMD)塑料封装的PNP通用晶体管。

特性:功率耗散:200mW。 适用于低功率放大和开关。 双晶体管(NPN+NPN)。 符合J-STD-020的MSL 1级,LF最大峰值260°C

特性:低饱和电压。 功率耗散为500mW。 高稳定性和高可靠性。 符合J-STD-020的MSL 1级,LF最大峰值为260°C

hFE:100-250,丝印:BL

专为中等电压、微至小电流应用环境设计,是您进行精密放大与开关电路的理想半导体器件。

特性:与S8050互补。 集电极电流:IC = 0.5A

丝印2T1

NPN 开关晶体管,采用小型 SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

采用小型SOT23表面贴装器件(SMD)塑料封装的NPN开关晶体管。PNP互补型号:MMBT3906。

hFE:100-400,丝印:2GM

特性:功率耗散:200mW。 高稳定性和高可靠性。 符合J-STD-020的MSL 1级,LF最大峰值为260°C

特性:功率耗散:250mW。 NPN低等效导通电阻。 符合J-STD-020的MSL 1级,LF最大峰值260°C

NPN中功率晶体管,采用SOT89 (SC-62)扁平引脚表面贴装器件 (SMD)塑料封装

该双极功率晶体管适用于通用电源和切换输出,或开关稳压器、转换器和功率放大器应用中的驱动器级。

特性:BVCEO > 60V。 IC = 5A 高连续电流。 RSAT = 30mΩ,低等效导通电阻。 低饱和电压 VESAT < 65mV @ IC = 1A。 hFE 指定至 10A,高电流增益保持。 互补 PNP 类型。应用:应急照明电路。 电机驱动(包括直流风扇)

丝印2A

特性:适用于一般音频应用。 高集电极电流。 高电流增益。 低集电极-发射极饱和电压。 互补类型:BC807(PNP)