PNP,Vceo=-40V,Ic=-200mA
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特性:与MMBT5401互补,非常适合中功率放大和开关
特性:适用于高压应用中的开关和放大。功率耗散为200mW。符合J-STD-020的MSL 1级,LF最大峰值为260°C
特性:功率耗散:225mW。 高稳定性和高可靠性。 符合J-STD-020的MSL 1级,LF最大峰值为260°C
hFE:100-400,丝印:1GM
NPN通用晶体管,采用非常小的SOT323 (SC-70)表面贴装器件(SMD)塑料封装。
特性:功率耗散:350mW。 高稳定性和高可靠性。 符合MSL 1级,根据J-STD-020标准,LF最大峰值为260°C
功率耗散:500mW。低电压和高电流。符合 J-STD-020 的 MSL 1 级,LF 最大峰值为 260°C
PNP 中功率晶体管系列,采用表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
特性:与S8550互补。 集电极电流:Ic = 0.5A
耐压:40V 电流:200mA NPN (hFE):300@10mA,1V
特性:与MMBT3906互补的表面贴装器件
特性:非常适合自动插入。 适用于开关和音频放大器应用
采用小型SOT23(TO - 236AB)表面贴装器件(SMD)塑料封装的NPN通用晶体管。
特性:与SS8550互补。 出色的hFE线性度。 高集电极电流。 表面贴装器件
丝印2TY
特性:与S8550互补。集电极电流:Ic = 0.5A
丝印2X
特性:与SS8550互补
特性:这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂,符合 RoHS 标准。 通过 AEC-Q101 认证,具备 PPAP 能力。 S 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用
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