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特性:低饱和电压

NPN低VCEsat晶体管,采用中功率SOT89 (SC-62)封装。PNP互补型号为PBSS540X。

NPN低VcEsat晶体管,采用SOT89塑料封装。

特性:BVCEO > 100V。 IC = 1A 高连续集电极电流。 ICM = 2A 峰值脉冲电流。 500mW 功率耗散。 hFE 特性达到 2A 以保持高电流增益。 互补 PNP 类型:FMMT593。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 适用于需要特定变更控制的汽车应用,该部件符合 AEC-Q101 标准,具备 PPAP 能力,并在通过 IATF 16949 认证的工厂生产

适用于频率高达2 GHz的宽带放大器,以及集电极电流在0.5 mA至20 mA之间的快速非饱和开关。

NPN中功率晶体管,采用SOT89 (SC-62)扁平引脚表面贴装器件 (SMD)塑料封装

FMMT415/417 是 NPN 硅平面双极晶体管,专为雪崩模式下的操作而设计。严格的工艺控制和低电感封装相结合,可产生具有快速沿的大电流脉冲。

专为中等电压、微电流环境下的精密放大应用设计,是小型电子设备的理想半导体元件。

放大倍数200-300 500MA电流

特性:低漏电流:ICEX = -50nA(最大值),IBL = -50nA(最大值),VCE = -30V,VEB = -3V。 出色的直流电流增益线性度。 低饱和电压:VCE(sat) = -0.4V(最大值),IC = -50mA,IBL = -5mA。 低集电极输出电容:Cob = 4.5pF(最大值),VCB = -5V。 与2N3904S互补。 后缀U:符合AEC-Q101标准。应用:通用应用。 开关应用

此款型号丝印有4种:1AM,1E,T1A,T04,会随机发货

放大倍数300-400 100MA电流

放大倍数200-450 电流100MA 电压45V

放大倍数100-300 200MA电流

放大倍数420-800 电流100MA 电压30V

特性:与MMBT5551互补。 适用于中功率放大和开关

特性:高集电极电流。 与SS8050互补

该 PNP 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。

专为中等电压、中等电流环境下的开关与线性放大应用设计,是各类电子设备电路的理想半导体元件。

特性:出色的hFE线性度。 与KTC9012S互补。应用:通用应用。 开关应用