适用于中等电压、中等电流环境下的高增益放大应用,是精密电子电路设计的理想选择。
JSMSEMI(杰盛微)SOT-23
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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特性:产品材料符合RoHS要求且无卤。 S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用;通过AEC-Q101认证且具备生产件批准程序(PPAP)能力
LRC(乐山无线电)SOT-23
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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适用于开关电源、音频放大器。
JSMSEMI(杰盛微)TO-92
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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电流500MA 电压45V 放大倍数250-600
FOSAN(富捷/富信)SOT-23
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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特性:与MMBT5551互补。 适用于中功率放大和开关。 表面贴装器件
HKT(合科泰)SOT-23
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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特性:产品材料符合RoHS要求且无卤。 S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用;通过AEC-Q101认证且具备PPAP能力
LRC(乐山无线电)SOT-23
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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特性:功率耗散:300mW。高稳定性和高可靠性。符合J-STD-020的MSL 1级,LF最高峰值260°C
R+O(宏嘉诚)SOT-23
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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特性:与MMBT5401互补。 外延平面管芯结构。 功率耗散为300mW
BORN(伯恩半导体)SOT-23
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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适用于高压、中等电流环境下的开关与线性放大应用,是您精密电子设备和电路设计的理想半导体元件。
JSMSEMI(杰盛微)SOT-363
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):40V 集电极电流(Ic):200mA 功率(Pd):200mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,1V
TWGMC(迪嘉)SOT-523
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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特性:高集电极电流。 与S9012互补。 出色的hFE线性度
CJ(江苏长电/长晶)SOT-23
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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晶体管类型:2个NPN 集射极击穿电压(Vceo):40V 集电极电流(Ic):200mA 功率(Pd):200mW 双NPN,40V,0.2A
TWGMC(迪嘉)SOT-363
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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特性:驱动晶体管
UMW(友台半导体)SOT-23
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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特性:与MMST5401互补。 小表面贴装封装。 适用于中功率放大和开关
CJ(江苏长电/长晶)SOT-323
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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NPN通用晶体管,采用无引脚超小型SOT883B表面贴装器件(SMD)塑料封装。
Nexperia(安世)DFN-3(1x0.6)
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。
onsemi(安森美)SOT-23
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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特性:低饱和电压。 功率耗散:500mW。 高稳定性和高可靠性。 符合J-STD-020的MSL 1级,LF最大峰值为260°C
R+O(宏嘉诚)SOT-89
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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这款双极结型晶体管(BJT)旨在满足汽车应用的严格要求。
DIODES(美台)SOT-23
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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特性:高击穿电压和电流。 出色的直流电流增益线性度。 与2SB1260互补。 低集电极-发射极饱和电压
CJ(江苏长电/长晶)SOT-89-3L
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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NPN/PNP通用晶体管对,采用非常小的SOT363 (SC-88) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
Nexperia(安世)SOT-323-6
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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