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特性:与MMBTA94互补。 高击穿电压。 低集电极-发射极饱和电压。 表面贴装器件

这些晶体管专为通用放大器应用而设计。它们采用SOT-363/SC-88封装,适用于低功率表面贴装应用。

电流:1A 耐压:80V (hFE):250@150mA,2V

PNP高压晶体管采用小型SOT23(TO-236AB)表面贴装器件(SMD)塑料封装。PNP互补型号为PMBTA92。

丝印MY

特性:与2SC2881互补。 功率耗散为500mW。 高稳定性和高可靠性。 符合J-STD-020的MSL 1级,LF最大峰值为260°C

特性:功率耗散

特性:与D882互补。 低速开关。 表面贴装器件

特性:BVCEO > 160V。 适用于低功率放大和开关。 有互补PNP类型。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件

特性:与2SC2873互补。 小型扁平封装。 适用于功率放大器和开关应用。 低饱和电压。 高速开关时间

采用中功率SOT89(SC - 62)扁平引脚表面贴装器件(SMD)塑料封装的NPN功率晶体管。

NPN通用晶体管,采用小型SOT23 (TO-236AB)表面贴装器件(SMD)塑料封装。

射频三极管 NPN

特性:低集电极-发射极饱和电压。 hFE 具有出色的线性度。 高 fT。 快速开关时间

采用小型表面贴装器件(SMD)塑料封装的NPN/NPN配对双晶体管。这些晶体管内部完全隔离。

特性:专为通用放大器和低速开关应用设计。 引脚适用于塑料套管中的表面贴装应用(无后缀)。 塑料套管中的直引脚版本(“-1”后缀)。 16mm 卷带包装的引脚成型版本(“T4”后缀)。 电气性能与流行的 TIP31 和 TIP32 系列相似

采用小型SOT143B表面贴装器件(SMD)塑料封装的NPN通用双晶体管。

PNP低VcEsat晶体管,采用小型SOT23 (TO-236AB)表面贴装器件(SMD)塑料封装。NPN互补型号:PBSS4240T

特性:BVCEO > 125V。 IC = 1A 高连续集电极电流。 ICM = 3A 峰值脉冲电流。 RCE(sat) = 160mΩ 低等效导通电阻。 625mW 功率耗散。 hFE 指定至 3A,高电流增益保持。应用:DC-DC / DC-AC 模块。 稳压器

NPN低VCEsat小信号突破性(BISS)晶体管,采用SOT89(SC-62/TO-243)贴片塑料封装。PNP互补型号为PBSS9110X。