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特性:音频功率放大器。 中速开关

特性:外延平面芯片结构,适用于中功率放大和开关。 超小型表面贴装封装。 完全无铅,完全符合RoHS标准。 无卤和无锑,“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准,可靠性高

特性:PNP与BCX51、BCX52、BCX53互补。 低电压。 高电流。应用:音频放大器的驱动级

此 PNP 双极晶体管适用于高增益、低噪声通用放大器应用。 此器件采用 SOT-23 封装,适合低功率表面贴装应用。

采用超小型SOT363(SC - 88)表面贴装器件(SMD)塑料封装的NPN/NPN通用晶体管对。互补的PNP/PNP晶体管对:BC857BS

特性:与B772互补。 大功率耗散。 表面贴装器件

特性:BVCEO > 400V。 高连续集电极电流:IC = 225mA。 峰值脉冲电流:ICM = 1A。 功耗:500mW。 高达100mA的出色hFE特性。 互补PNP类型。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件

特性:功率耗散

特性:BVCEO > 60V。IC(continuous) = 1A。IC(peak pulse) = 2A。RCE(sat) = 195mΩ,低等效导通电阻。功率耗散:500mW。hFE特性高达2A,高电流增益保持。互补PNP类型:FMMT591。完全无铅且完全符合RoHS标准。无卤素和锑,“绿色”器件。符合AEC-Q101标准,高可靠性

特性:BVCEO > -150V,2% 匹配容差。 hFE、Vce(SAT)、Vbe(SAT) 适合中功率放大和开关。 单个 SOT26 (SC74R) 封装中的双晶体管,占用空间为两个等效 SOT23 晶体管的一半。 外延平面管芯结构。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑,“绿色” 器件

适用于大功率开关电路与中等放大需求,是工业控制、电源转换等领域不可或缺的半导体元件。

特性:BVCEO > 50V。 连续集电极电流 IC = 2A。 功率耗散 625mW。 低饱和电压:VCE(sat) < 200mV @ 1A。 RCE(sat) = 68mΩ,低等效导通电阻。 hFE 特性高达 6A,高电流增益保持。应用:MOSFET 栅极驱动。 DC-DC / DC-AC 转换器

特性:设计用于通用放大器和低速开关应用。 适用于塑料套管表面贴装应用的引脚成型版本(无后缀)。 塑料套管中的直引脚版本(“-1”后缀)。 16mm卷带包装的引脚成型版本(“T4”后缀)。 电气特性与流行的TIP31和TIP32系列相似

互补硅功率晶体管

该双极功率晶体管适用于通用放大器和低速开关应用。MJD31、MJD31C (NPN) 和 MJD32、MJD32C (PNP) 为互补器件。

NPN低VCEsat晶体管,采用超薄DFN2020D-3 (SOT1061D)无铅小型表面贴装器件(SMD)塑料封装,具有中等功率能力,侧面焊盘可见且可焊接。

丝印CS

特性:外延平面芯片结构。 有互补的NPN类型。 适用于中功率放大和开关

丝印Y1

特性:非常适合自动插入。 适用于开关和音频放大器应用