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互补功率晶体管

该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-223 封装,适用于中等功率表面贴装应用。

特性:BVCEO > 100V。 BVCEX > 170V,正向阻断电压。 BV ECO > 6V,反向阻断电压。 IC = 3A,高连续集电极电流。 低饱和电压,VCE(SAT) < 80mV @1A。 RCE(SAT) = 67mΩ,低等效导通电阻。应用:灯继电器和螺线管驱动器。 汽车和工业应用中的通用开关

设计用于通用电源和开关,如开关稳压器、转换器和功率放大器等应用中的输出或驱动级。

这些塑料 NPN 和 PNP 功率晶体管系列可在开关稳压器、转换器和功率放大器等应用中用作通用功率放大和开关,如输出和驱动器级。

特性:BVCBO > 45V。 IC = 2A 高连续集电极电流。 ICM 高达 6A 峰值脉冲电流。 高增益 hFE > 400 @ 1A。 2W 功率耗散。 低饱和电压 VCE(sat) ≤ 300mV @ 1A。 互补 PNP 类型:FCX790A。 无铅表面处理;符合 RoHS 标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 符合 AEC-Q101 高可靠性标准

特性:BVCEO > 25V。 连续集电极电流高:IC = 5A。 峰值脉冲电流:ICM = 20A。 低饱和电压:VCE(sat) < 70mV @ 1A。 低等效导通电阻:RCE(sat) = 50mΩ。 hFE指定高达20A,实现高增益保持。 无铅涂层;符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准,可靠性高

特性:BVCEO > 150V。 高连续集电极电流:IC = 5A。 峰值脉冲电流:ICM = 10A。 极低饱和电压:VCE(sat) < 110mV @ 1A。 低等效导通电阻:RCE(sat) = 50mΩ。 高增益保持:hFE 规定至 10A。 互补 PNP 类型。 无铅涂层。 符合 RoHS 标准。 无卤素和锑,绿色器件

该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23封装,适用于低功率表面贴装应用。

集电极电流(IC):500mA 集射极击穿电压(VCEO):25V 耗散功率(pd):300mW 直流电流增益(hfE): 50@1V,500mA 特征频率(fT):150HZ 集电极截止电流(Icbo) :100nA 集射极饱和电压(VCE(sat)):600mV @500mA,50mA 射基极击穿电压(Vebo):5V 工作温度:-55°C~+155°C@(Tj)

特性:与S8050互补。集电极电流:IC = 0.5A

特性:与SS8050互补

SOT-23 塑封封装 NPN 半导体三极管。

NPN三极管,Vcbo=60V,Vceo=40V,IC 0.2A,Hfe 100~300

特性:功率耗散:200mW。 高稳定性和高可靠性。 符合J-STD-020的MSL 1级,LF最高峰值温度为260°C

放大倍数 200-400 150MA电流 50V电压

专为中等电压、中等电流环境下的开关与线性放大应用设计,是各类电子设备电路的理想半导体元件。

特性:适用于一般音频应用。 高集电极电流。 高电流增益。 低集电极-发射极饱和电压。 互补类型:BC807(PNP)

特性:非常适合自动插入。 适用于开关和音频放大器应用

hFE:100-250,丝印:6A