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高压快速切换PNP功率晶体管

特性:BVCEO > -40V。 IC = -1A,高连续电流。 ICM = -2A,峰值脉冲电流。 低饱和电压 VCE(sat) < -500mV @ -1A。 RSAT = 350mΩ,低等效导通电阻。 互补 NPN 型:FMM1491A。应用:功率 MOSFET 栅极驱动。 低损耗功率开关

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特性:BVC E O >-40V。I_C =-1.5A 连续集电极电流。I_CM =-4A 峰值脉冲电流。低饱和电压 V_CE(sat) <-220mV @-1A。R_CE(SAT) = 163mΩ,低等效导通电阻。625mW 功率耗散。应用:栅极驱动 MOSFET 和 IGBT。DC-DC 转换器

低 VCE(sat) 双极晶体管是具有超低饱和电压 VCE(sat) 和高电流增益能力的微型表面贴装器件。此类器件设计用于需要经济、高效的能量控制的低电压、高速开关应用。

特性:BVCEO > -40V。 IC = -200mA 高集电极电流。 一对本质匹配的 PNP 晶体管。 电流增益(hFE)匹配度为 2%。 基极-发射极电压(VBE)匹配度为 2mV。 在小型表面贴装封装中完全内部隔离。应用:电流镜。 差分和仪表放大器

PNP/PNP 通用晶体管对,采用非常小的 SOT363 (SC-88) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

特性:S 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 AEC-Q101 认证且具备 PPAP 能力。 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂,符合 RoHS 标准

特性:低频功率放大器,与2SB834互补

特性:设计用于通用放大器和低速开关应用。适用于塑料套管表面贴装应用的引脚成型(无后缀)。塑料套管中的直引脚版本(“-1”后缀)。16mm 卷带和卷轴中的引脚成型版本(“T4”后缀)。电气特性与流行的 TIP41 和 TIP42 系列相似。带有内置基极-发射极电阻的单片结构

互补硅功率晶体管

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采用SOT223塑料封装的NPN低VCEsat晶体管。互补PNP型晶体管:PBSS5540Z。

NPN 中功率晶体管系列,采用表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

低饱和电压和高增益组合使得此双极晶体管成为适用于节电高速开关应用中的理想器件。

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采用SOT89(SC - 62)扁平引脚表面贴装器件(SMD)塑料封装的PNP低VCEsat晶体管。NPN互补型号:PBSS4250X

低饱和压双极晶体管是具有超低饱和压和高电流增益能力的微型表面贴装器件。这些器件设计用于需要经济、高效的能量控制的低电压、高速开关应用。

特性:BVCEO > -100V。 IC = -2A High Continuous Current。 ICM = -6A Peak Pulse Current。 低饱和电压 VCE(sat) < -300mV @ -1A。 互补NPN类型:FZT653。 无铅涂层,符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准,具有高可靠性。 具备PPAP能力

PNP 高功率双极晶体管,采用 SOT669 (LFPAK56) 表面贴装器件 (SMD) 功率塑料封装。NPN 互补型号为 PHPT60603NY。