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采用小型SOT23(TO - 236AB)表面贴装器件(SMD)塑料封装的NPN低VCEsat晶体管。互补PNP型:PBSS5240T

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特性:BVCEO > 40V。 Ic = 200mA高集电极电流。 PD = 435mW功耗。 0.48mm2封装尺寸,比SOT23小16倍。 0.4mm封装高度,最小化板外轮廓。 互补PNP型MMBT3906FA。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤和无锑“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准,具有高可靠性

特性:BVCEO >-100V。 IC =-1A 高连续集电极电流。 ICM =-2A 峰值脉冲电流。 低饱和电压。 高达 IC =-1A 时具有出色的 hFE 特性。 互补 NPN 类型。应用:高端驱动器。 负载断开开关

特性:与CZT32C互补,适用于高达3.0A的功率放大器应用

采用SOT89(SC - 62)扁平引脚表面贴装器件(SMD)塑料封装的PNP低VCEsat晶体管。NPN互补型号:PBSS4250X

特性:BVCEO > 40V。 连续集电极电流 Ic = 1A。 峰值脉冲电流 Icm = 2A。 低等效导通电阻,RCE(sat) = 195mΩ。 功耗 500mW。 hFE 特性高达 2A,以保持高电流增益。 完全无铅,完全符合 RoHS 标准。 无卤和无锑,“绿色”器件。 符合 AEC-Q101 标准,具有高可靠性。 具备 PPAP 能力

低饱和压双极晶体管是具有超低饱和压和高电流增益能力的微型表面贴装器件。这些器件设计用于需要经济、高效的能量控制的低电压、高速开关应用。

该双极功率晶体管适用于低功率音频放大器和低电流高速开关应用。

专为通用开关和放大器应用而设计。

采用SOT669(LFPAK56)表面贴装器件(SMD)功率塑料封装的PNP大功率双极型晶体管。互补NPN型:PHPT61003NY

特性:比SO7223小43%,比TO252小60%。 最大高度仅1.1mm。 额定功率高达2.25W。 集电极-发射极击穿电压(BVCEO)> 160V。 集电极电流(Io(sch)) = 0.6A。 无铅,符合RoHS标准。应用:电信线路驱动器

该 PNP 双极功率晶体管适用于线路运行的音频输出放大器、开关模式电源驱动器和其他开关应用。

特性:BVCEO > 150V。 最大连续集电极电流 IC = 1A。 625mW 功率耗散。 hFE 特性高达 33A。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。应用:DC-DC 模块。 电源管理功能

这些NPN硅外延晶体管专为音频放大器应用而设计。该器件采用SOT - 223封装,此封装专为中功率表面贴装应用而设计。

安森美半导体的低饱和压晶体管系列是具有超低饱和电压饱和压和高电流增益能力的微型表面贴装器件。这些器件设计用于需要经济、高效的能量控制的低电压、高速开关应用。典型应用有便携式和电池供电产品(例如蜂窝电话和无绳电话、PDA、计算机、打印机、数码相机和 MP3 播放器)中的 DC-DC 转换器和电源管理。其它应用有大容量存储产品(例如磁盘驱动器和磁带驱动器)中的低压电机控制。在汽车行业中,它们可用于安全气囊部署和各种仪表盘。高电流增益允许这些双极晶体管器件直接从 PMU 的控制输出驱动,而线性增益 (Beta) 使其成为模拟放大器的理想组件。

专为市电供电的音频输出放大器、开关模式电源驱动器及其他开关应用而设计。

这些塑料 NPN 和 PNP 功率晶体管系列可在开关稳压器、转换器和功率放大器等应用中用作通用功率放大和开关,如输出和驱动器级。

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NPN低VCEsat小信号晶体管(BISS),采用SOT223(SC-73)小型表面贴装器件(SMD)塑料封装。PNP互补型号为PBSS305PZ。