海量元器件型号，
快速搜索匹配。

耐压:25V 电流:500mA

特性:与A733互补。 出色的hFE线性度。 低噪声。 表面贴装器件

特性:高集电极电流。 与SS8050互补

放大倍数110-200 电流100MA 电压65V

集电极电流(IC):1.5A 集射极击穿电压(VCEO):25V 耗散功率(pd):300mW 直流电流增益(hfE): 40@1V,800mA 特征频率(fT):150HZ 集电极截止电流(Icbo) :100nA 集射极饱和电压(VCE(sat)):500mV @800mA,80mA 射基极击穿电压(Vebo):5V 工作温度:-55°C~+155°C@(Tj)

采用塑料SOT23封装的NPN晶体管。互补PNP型晶体管:PMBS3906。

公开页面暂无产品说明。

耐压:25V 电流:1.5A PNP (hFE):400@100mA,1V

NPN 型高频小功率晶体管(三极管),广泛应用于放大、开关、驱动等电子电路中,是电子制作、小家电、电源模块等场景的常用元器件。

NPN,大电流1.5A,丝印Y1,hfe=160~400

适用于低功耗、高增益电路设计,是各类精密电子设备和小型化项目的优质选择。

特性:适用于开关和音频放大器应用

大芯片该SOT-23封装PNP型三极管,具有150V高耐压VCEO及0.6A集电极电流,放大倍数在100至300之间可调,特别适用于高压、中等电流环境下的开关与线性放大应用,是您精密电子设备和电路设计的理想半导体元件。

应用:便携式设备。小负载开关晶体管

特性:非常适合自动插入。 外延平面芯片结构。 有互补的NPN类型(BC817)

特性:高电压和高电流:VCEO =-50V,IC =-150mA (max)。 出色的hFE线性度:hFE (IC =-0.1mA) / hFE (IC =-2mA) = 0.98 (typ.)。 高hFE:hFE = 70至400。 低噪声:NF = 1dB (typ.),10dB (max)。 与2SC2712互补。 小封装。应用:音频通用放大器应用

DUAL TRANSISTOR (PNP+PNP)

特性:高集电极电流。 与S9013互补。 出色的hFE线性度

晶体管类型:PNP 集射极击穿电压(Vceo):25V 集电极电流(Ic):1.5A 功率(Pd):200mW 集电极截止电流(Icbo):100nA

丝印CR