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该双极功率晶体管适用于通用放大器和低速开关应用。MJD31、MJD31C (NPN) 和 MJD32、MJD32C (PNP) 为互补器件。

采用小型SOT457(SC - 74)表面贴装器件(SMD)塑料封装的NPN/NPN通用晶体管对。

采用表面贴装器件(SMD)塑料封装的NPN中功率晶体管系列。

BFP420是一款基于接地发射极(SIEGETTM)的低噪声器件,属于英飞凌成熟的第四代射频双极晶体管系列。其25 GHz的特征频率ft、高增益和低电流特性,使该器件适用于高达10 GHz的振荡器。它在保证易用性的同时,还具有成本竞争力

特性:SA-60V 中功率晶体管。 适用于中功率驱动器。 互补 NPN 类型。 低集电极-发射极饱和电压。应用:中功率驱动器。 LED 驱动器

此款MJD122T4G,采用表面贴装TO-252(DPAK),MJD122达林顿晶体管适用于各种需要大电流驱动的应用场景,如电源开关、电机驱动、LED驱动、音频放大器以及各类功率控制电路。

特性:宽安全工作区。与2SC2703互补

PNP硅晶体管

此器件用于需要最高 500 mA 集极电流的中等功率放大器和开关。源自 Process 19。

特性:BVCEO > -140V。 IC = -4A 高连续集电极电流。 ICM = -10A 峰值脉冲电流。 低饱和电压 VCE(sat) < -120mV @ IC = -1A。 RSAT = 92mΩ 低等效导通电阻。 HPE 指定高达 -10A 高增益保持。应用:电机驱动。 线路开关

该 NPN 双极晶体管适用于音频放大器应用。此器件安装在 SOT-223 封装中,适用于中等功率表面贴装应用。

公开页面暂无产品说明。

特性:设计用于通用放大器和低速开关应用。 电气特性与MJE3055相似。 直流电流增益指定为10A

特性:高线性度低噪声。 900 MHz、8 V、70 mA 条件下,OP1dB 为 22 dBm,OIP3 为 31 dBm。 集电极设计支持 5 V 电源电压。 无铅(符合 RoHS 标准)封装。 可提供根据 AEC-Q101 的认证报告。应用:UHF / VHF 应用。 多级放大器驱动

特性:设计用于通用放大器和低速开关应用。 电气特性与MJD3055相似。 直流电流增益指定为10安培

低压NPN功率晶体管

该双极功率晶体管适用于通用放大器和低速开关应用。MJD2955 (PNP) 和 MJD3055 (NPN) 为互补器件。

高过渡频率:fT = 200MHz(典型值) 与 2SA1930 互补

3DD13009AN是硅NPN型功率开关晶体管,该产品采用平面工艺,分压环终端结构和少子寿命控制技术,提高了产品的击穿电压、开关速度和可靠性。

特性:BVCEO > 60V。 连续集电极电流 IC = 6A。 峰值脉冲电流 ICM = 20A。 低饱和电压 VCE(SAT) < 60mV 最大值 @ 1A。 RSAT = 35mΩ @ IC = 6A,低等效导通电阻。 hZ 指定高达 10A,高增益保持。应用:应急照明电路。 电机驱动(包括直流风扇)