丝印Y1
TWGMC(迪嘉)SOT-23
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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低电流,低电压,用于一般放大
JSMSEMI(杰盛微)TO-92
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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特性:作为互补类型,推荐使用NPN晶体管S9013。 外延平面芯片结构
BORN(伯恩半导体)SOT-23
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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特性:与SS8550互补
IDCHIP(英锐芯)SOT-23
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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特性:与S9012互补。 功率耗散:300mW。 高稳定性和高可靠性。 SOT-23封装
SHIKUES(时科)SOT-23
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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特性:高集电极电流 (Ic = 500mA)。 与S8550互补。 出色的HFE线性度。 高总功率耗散 (Pc = 300mW)。应用:高集电极电流
LGE(鲁光)SOT-23
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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特性:低电流(最大100mA)。 低电压(最大65V)
SHIKUES(时科)SOT-23
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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特性:VHF/UHF晶体管,标记:3EM
UMW(友台半导体)SOT-23
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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适用于开关电源、音频放大器。
JSMSEMI(杰盛微)TO-92
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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特性:互补NPN类型可用
ALJ(龙晶微)TO-92
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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用于开关和放大器应用。推荐使用PNP晶体管MMBT8550作为互补类型。
ST(先科)SOT-23
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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特性:与S8050互补。 集电极电流:I = 0.5A
BORN(伯恩半导体)SOT-23
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。
TDSEMIC(拓电半导体)SOT-23
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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特性:与SS8550W互补
MSKSEMI(美森科)SOT-323
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应用于各类低功率、精密信号放大电路,提供优异的性能。
JSMSEMI(杰盛微)TO-92
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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R+O(宏嘉诚)SOT-23
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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G1(G1表示丝印)
CBI(创基)SOT-523
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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特性:外延平面芯片结构。 适用于低功率放大和开关
FUXINSEMI(富芯森美)SOT-363
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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该 PNP 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。
MDD(辰达半导体)SOT-23
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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BORN(伯恩半导体)SOT-23
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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