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NPN晶体管采用SOT23塑料封装。

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特性:功率耗散:1.25W。 低集电极-发射极饱和电压

特性:采用FBET、MBIT工艺。 大电流容量和宽安全工作区。 低集电极-发射极饱和电压。 快速开关速度

特性:高电压:VCEO = 160V。大连续集电极电流能力。与2SA1013互补

特性:低饱和电压:VCE(sat)最大0.5V(IC = 1A)。 高速开关时间:tSTG典型值为1.0μs。 小型扁平封装,PC = 1.0至2.0W(安装在陶瓷基板上)。 与2SA1213互补。应用:功率放大器应用。 功率开关应用

特性:BVCEO > 20V。连续集电极电流 IC = 2.5A。RCE(SAT) = 50mΩ,低等效导通电阻。功率耗散 625mW。hFE 特性高达 6A,高电流增益保持。互补 NPN 类型:FMMT718。应用:DC-DC 模块。栅极驱动器

特性:高电流输出可达 3A。 低饱和电压。 与 2SB772 互补。应用:音频功率放大器。 DC-DC 转换器

特性:这些器件是无铅、无卤素/无溴化阻燃剂且符合RoHS标准的。应用:LCD控制板。 高速开关

专为通用放大器和低速开关应用而设计。

特性:高击穿电压 (BVCEO=-120V)。 与2SC3906K FRA互补。应用:高压放大器

特性:集电极电流能力:Ic = 5A。 集电极发射极电压:Vc = 0.100V。 与FZT853互补

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特性:高电压:VcBO = -300V。 低饱和电压:VCE(sat) = -0.5V (max)。 小集电极输出电容:Cob = 5.5 pF (typ.)。 与2SC4497互补。应用:等离子显示器高压控制应用。 数码管驱动应用

PNP (hFE):60

采用SOT223塑料封装的NPN开关晶体管。互补PNP型:PZT2907A。

晶体管类型:NPN 集电极电流(Ic):150mA 集射极击穿电压(Vceo):500V 耗散功率(Pd):300mW 直流电流增益(hFE):50@30mA,10V

特性:低集电极-发射极饱和电压。高集电极电流能力。高集电极电流增益。由于发热少,效率高。所需印刷电路板 (PCB) 面积更小。产品材料符合 RoHS 要求且无卤素。S 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用;符合 AEC-Q101 标准且具备生产件批准程序 (PPAP) 能力

特性:低集电极-发射极饱和电压。 高集电极电流能力。 高集电极电流增益。 由于发热少,效率高。 所需印刷电路板 (PCB) 面积小。 产品材料符合 RoHS 要求且无卤素。 S 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用;符合 AEC-Q101 标准且具备生产件批准程序 (PPAP) 能力

特性:高线性低噪声驱动放大器。 输出压缩点:19.5 dBm @ 1.8 GHz。 适用于高达3.5 GHz的振荡器。 低噪声系数:1.1 dB @ 1.8 GHz。 集电极设计支持5 V电源电压。 无铅(符合RoHS)和无卤薄型小扁平封装,引脚可见。 提供符合AEC-Q101的认证报告