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Nexperia(安世)SOT-223
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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特性:BVCEO > 100V。 IC = 1A 高连续电流。 ICM = 2A 峰值脉冲电流。 低饱和电压。 互补 PNP 类型:FZT593。 无铅涂层;符合 RoHS 标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 符合 AEC-Q101 标准,可靠性高。 具备 PPAP 能力
DIODES(美台)SOT-223
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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特性:BVCEO > 40V。 高连续集电极电流 IC = 5A。 峰值脉冲电流 ICM = 20A。 低饱和电压 VCE(sat) < 120mV @ 1A。 低等效导通电阻 RSAT = 50mΩ @ 5A。 hFE 指定至 10A,高增益保持。应用:螺线管、继电器和执行器驱动器。 DC 模块
DIODES(美台)SOT-223
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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Nexperia(安世)SOT-89
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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特性:高集电极电压:ΔVCEO = 230 V(最小值)。 与2SA1943N互补。 推荐用于100W高保真音频放大器输出级。应用:功率放大器
TOSHIBA(东芝)TO-3P(N)
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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NJW21194 双极互补音频功率晶体管使用穿孔射极技术,专用于大功率音频输出、磁盘头定位器和线性应用。
onsemi(安森美)TO-3P
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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MJL21193 和 MJL21194 双极互补音频功率晶体管使用穿孔射极技术,针对大功率音频输出、磁盘头定位器和线性应用而设计。
onsemi(安森美)TO-264-3
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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音频双通道匹配NPN晶体管
ADI(亚德诺)SOIC-8
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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该 PNP 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23-3 封装,适用于低功率表面贴装应用。
CCX(晁禾)SOT-23
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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晶体管类型: NPN 集电极电流(Ic): 100mA 集射极击穿电压(Vceo): 30V 功率: 200mW
ALJ(龙晶微)SOT-23
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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丝印HF
ALJ(龙晶微)SOT-23
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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类型 NPN IC(A) 0.1 VCBO(V) 50 VCEO(V) 45 VEBO(V) 5 VCE(sat)(V) 0.3
Slkor(萨科微)SOT-23
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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Zhengxin(正芯)SOT-23
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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特性:作为互补类型,推荐使用NPN晶体管MMBT3904
MSKSEMI(美森科)SOT-23
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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这款NPN型三极管(BJT)具有0.2A的集电极电流
TDSEMIC(拓电半导体)SOT-23
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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JUXING(钜兴)SOT-23
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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特性:与SS8550互补
RealChip(正芯半导体)SOT-23
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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丝印CR
ALJ(龙晶微)SOT-23
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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集电极电流(IC):500mA 集射极击穿电压(VCEO):25V 耗散功率(pd):300mW 直流电流增益(hfE): 40@1V,500mA 特征频率(fT):150HZ 集电极截止电流(Icbo) :100nA 集射极饱和电压(VCE(sat)):600mV @500mA,50mA 射基极击穿电压(Vebo):5V 工作温度:-55°C~+155°C@(Tj)
baocheng(宝乘)SOT-23
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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放大倍数420-800 电流100MA 电压30V
FOSAN(富捷/富信)SOT-23
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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