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二极管 / 晶体管型号

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采用超小型SOT323(SC - 70)表面贴装器件(SMD)塑料封装的PNP通用晶体管。

Nexperia(安世)SOT-323
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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特性:高电流。 低电压。 产品材料符合RoHS要求且无卤。 S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 AEC-Q101合格且具备PPAP能力。应用:中功率通用。 音频放大器的驱动级

LRC(乐山无线电)SOT-89
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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特性:高电压:适用于高电压放大器应用

CJ(江苏长电/长晶)SOT-223
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。

onsemi(安森美)SOT-23
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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采用小型SOT23表面贴装器件(SMD)塑料封装的NPN高压晶体管。PNP互补型号:MMBTA92。

Nexperia(安世)SOT-23
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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这款PNP硅平面晶体管专为通用放大器应用而设计。该器件采用SC - 70/SOT - 323封装,此封装专为低功率表面贴装应用而设计。

onsemi(安森美)SC-70-3
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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特性:高电流:IC = 0.5A。 低集电极-发射极饱和电压:VCE(sat) ≤ 400mV(IC = 150mA / IB = 15mA时)。应用:低频放大器。 驱动器

ROHM(罗姆)UMT-3
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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特性:高电压。 高过渡频率。 与2SC2881互补

CJ(江苏长电/长晶)SOT-89-3L
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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此高压 PNP 双极晶体管适用于通用开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。

onsemi(安森美)SOT-23
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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特性:适合中功率驱动。 互补PNP类型。 低VCE(sat)。 产品材料符合RoHS要求且无卤素。 S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用;符合AEC-Q101标准且具备PPAP能力。应用:电机驱动器。 LED驱动器

LRC(乐山无线电)SOT-89
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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特性:外延平面芯片结构。 有互补NPN类型。 适用于中功率放大和开关。 超小型表面贴装封装。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件

DIODES(美台)SOT-363
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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本芯片采用硅外延工艺制造,具有高功率增益放大、宽带以及低噪声、低漏电流、小结电容特性,较大的动态范围,理想的电流线性;主要应用于超高频微波、VHF、UHF和CATV高频宽带低噪声放大器中,如卫星电视调谐器、CATV放大器、模拟数字无绳电话、射频模块和光纤模块中的高频放大器等产品。

JSMSEMI(杰盛微)SOT-143B
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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此 NPN 双极晶体管适用于通用放大器应用。此器件采用 SOT-323/SC-70 封装,适用于低功率表面贴装应用。

onsemi(安森美)SC-70(SOT-323)
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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采用小型 SOT23(TO - 236AB)表面贴装器件(SMD)塑料封装的 PNP 低 VCEsat 晶体管。互补 NPN 型:PBSS4160T

Nexperia(安世)SOT-23
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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NPN中功率晶体管采用SOT89 (SC-62)扁平引脚表面贴装器件(SMD)塑料封装。

Nexperia(安世)SOT-89
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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高电压、高速、平面钝化 NPN 功率开关晶体管,采用 SOT54(TO-92)塑料封装。

WeEn(瑞能)TO-92
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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公开页面暂无产品说明。

OSEN(欧芯)TO-252
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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特性:与2SB649/A组成低频功率放大器互补对

CJ(江苏长电/长晶)TO-126
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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适用于中功率线性开关应用

JSMSEMI(杰盛微)TO-220
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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特性:低集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):VCE(sat) = 0.5V(典型值)(IC / IB = 2A / 0.2A)

CJ(江苏长电/长晶)TO-252-2L
二极管 / 晶体管三极管(BJT)
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