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互补硅功率晶体管

此NPN晶体管专为需要高电压阻断的应用而设计。SOT23F封装与行业标准SOT23引脚兼容,但在功率密度至关重要的应用中,它提供了更低的外形和更高的功率耗散。

特性:高集电极电压:VCEO = 160V(最小值)。 与TTA004B互补。 小集电极输出电容:Cob = 12pF(典型值)。 高过渡频率:fT = 100MHz(典型值)。应用:音频放大器

采用中功率 SOT223(SC - 73)表面贴装器件(SMD)塑料封装的 PNP 高压、低 VCEsat 小信号突破(BISS)晶体管。互补 NPN 型:PBHV8560Z

特性:BVCEO >-40V。 Ic Max.-3A 高连续电流。 IcM Max.-6A 峰值脉冲电流。 极低的等效导通电阻;RCE (sat) 在 2A 时为 125mΩ。 在 IC = 1A 时 hFE 为 200,且饱和电压极低。 互补 NPN 型:FZT690B。应用:DC-DC 转换器。 警报器驱动器

先进的工艺能力和封装设计被用于最大限度地提升这款小外形晶体管的功率处理能力和性能。该器件尺寸紧凑且额定参数出色,非常适合空间有限的应用场景。

PNP 高压低 VCEsat 小信号突破性(BISS)晶体管,采用中功率 SOT223(SC-73)表面贴装器件(SMD)塑料封装。

NPN低VCEsat小信号突破(BISS)晶体管,采用中功率扁平引脚SOT89(SC-62)表面贴装器件(SMD)塑料封装。PNP互补型号为PBSS4041PX。

这些塑料 NPN 和 PNP 功率晶体管系列可在开关稳压器、转换器和功率放大器等应用中用作通用功率放大和开关,如输出和驱动器级。

适用于70W高保真音频放大器输出级。

采用SOT223塑料封装的PNP低VCEsat晶体管。NPN互补型号:PBSS4540Z。

该双极功率晶体管适合用作音频放大器中的高频驱动器。

特性:BVCEO > 150V。 hFE > 100(IC = 150mA,VCE = 0.25V)。 IC(cont) = 1A。 无铅,符合RoHS标准。 无卤素和锑的“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准,可靠性高。应用:LED TV背光源

互补功率晶体管

该双极功率晶体管适用于通用电源放大和切换,如开关稳压器、转换器和功率放大器应用中的输出和驱动器级。MJB44H11 (NPN) 和 MJB45H11 (PNP) 为互补器件。

汽车级低压NPN功率晶体管

PNP 高功率双极晶体管采用 SOT669 (LFPAK56) 表面贴装器件 (SMD) 功率塑料封装。NPN 互补型号为 PHPT60410NY。

特性:BVCEO > 60V。 集电极连续电流高,Ic = 6A。 脉冲峰值电流,ICM = 20A。 低饱和电压,VCE(sat) < 100mV @ 1A。 低等效导通电阻,RCE(sat) = 44mΩ。 hFE 在高达10A时指定,高增益保持。 互补PNP类型:FZT951。 无铅涂层;符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 适用于需要特定变更控制的汽车应用,该产品符合AEC-Q101标准,具备PPAP能力,在通过IATF16949认证的工厂生产

设计用于水平偏转输出的应用程序。

该双极功率晶体管卓越的增益线性和安全运行区域性能使其适用于高保真音频放大器输出级和其他线性应用。