海量元器件型号，
快速搜索匹配。

这款全新系列的数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。BRT(偏置电阻晶体管)包含一个带有单片偏置网络电阻的单晶体管。BRT 通过将这些分立元件集成到单个器件中,从而省去了它们

特性:内置偏置电阻。 内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置逆变器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入负偏置,还具有完全消除寄生效应的优点。 仅需设置开/关条件即可操作,使电路设计变得容易。 互补PNP类型。 无铅/RoHS合规。应用:开关电路。 逆变器电路

公开页面暂无产品说明。

公开页面暂无产品说明。

公开页面暂无产品说明。

特性:内置偏置电阻,无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入正偏置,几乎完全消除寄生效应。只需设置开/关条件即可操作,便于设备设计

特性:内置偏置电阻,无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入正偏置,几乎完全消除寄生效应。操作时只需设置开/关条件,便于设备设计

特性:内置偏置电阻,无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入正偏置。 几乎完全消除寄生效应。 只需设置开/关条件即可操作,便于设备设计

特性:内置偏置电阻,无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入正偏置,几乎完全消除寄生效应。仅需设置开/关条件即可操作,便于设备设计

特性:内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入正偏置。几乎完全消除寄生效应。仅需设置开/关条件即可操作,便于设备设计

特性:内置偏置电阻,无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入正偏置,几乎完全消除寄生效应。 只需设置开/关条件即可操作,便于设备设计

公开页面暂无产品说明。

公开页面暂无产品说明。

特性:内置偏置电阻,无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入正偏置,几乎完全消除寄生效应。 只需设置开/关条件即可操作,便于设备设计

特性:内置偏置电阻,无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入正偏置,几乎完全消除寄生效应。 只需设置开/关条件即可操作,便于设备设计

特性:内置偏置电阻,无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入正偏置。 几乎完全消除寄生效应。 只需设置开/关条件即可操作,易于进行设备设计

PNP带电阻晶体管(RET)系列,采用表面贴装型塑料封装。

这款新型数字晶体管系列旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管(BRT)包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单晶体管,即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT通过将这些单独的组件集成到一个器件中,消除了这些组件。使用BRT可以降低系统成本和电路板空间。该器件采用SOT-723封装,专为低功率表面贴装应用而设计。

特性:外延平面管芯结构。 内置偏置电阻,R1 = R2。 完全无铅,完全符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准,可靠性高。 具备生产件批准程序(PPAP)能力

此系列数字晶体管用于替代一个器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管和一个由两个电阻组成的单片偏置网络;一个串联基极电阻和一个基极发射电阻。该 BRT 将这些组件集成到了一个器件中,因此不再需要这些外部组件。使用 BRT 可以同时降低系统成本和板空间。