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特性:内置偏置电阻,R1 = R2 = 100kΩ。 内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。 仅需设置开/关条件即可操作,使电路设计更简单。 互补NPN类型。应用:反相器。 接口

该系列数字晶体管用于替代单个器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管和一个由两个电阻组成的单片偏置网络:一个串联基极电阻和一个基极发射电阻。该 BRT 将这些独立组件集成到了单个器件中,因此不再需要这些单独组件。采用 BRT 既可以降低系统成本,又可以节省板空间。

NPN/PNP双电阻晶体管(RET),采用非常小的SOT363(SC-88)表面贴装器件(SMD)塑料封装。PNP/PNP互补型号:PUMB10;NPN/NPN互补型号:PUMH10

特性:封装内包含DTA143X芯片和DTC144E芯片。 可使用SOT-363自动贴装机进行贴装。 晶体管元件相互独立,无干扰。 可将贴装成本和面积减半

特性:外延平面芯片结构。 提供互补NPN类型(DDTC)。 内置偏置电阻,R1 = R2。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准,具有高可靠性。 具备PPAP能力

该系列数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管(BRT)包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管;一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT 通过将这些单独的组件集成到单个器件中消除了它们。使用 BRT 可以降低系统成本和电路板空间。

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NPN/PNP 带电阻双晶体管,采用非常小的 SOT363 (SC-88) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

特性:外延平面芯片结构。 内置偏置电阻。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件

NPN低VCEsat性能的带电阻晶体管(RET),采用小型SOT23(TO-236AB)表面贴装塑料封装。PNP互补型号为PBRP123ET。

采用超小型SOT363(SC - 88)表面贴装器件(SMD)塑料封装的NPN/PNP双电阻晶体管(RET)。PNP/PNP互补型号:PUMB13

特性:AEC-Q101合格。 采用US6封装(超小型6引脚),包含两个器件。 集成偏置电阻,减少外部元件数量,可减小系统尺寸和组装时间。应用:开关。 逆变器电路

单向双ESD保护二极管,采用SOT23塑料封装。旨在保护多达两条传输线或数据线免受静电放电(ESD)损坏。

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晶体管类型:1个NPN-预偏置 功率(Pd):200mW 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V NPN,Vcc=50V,Io=100mA,Pd=200mW

这款数字晶体管属于NPN型,具有稳定的电气性能,适用于多种电路设计。能够在中低压环境下提供可靠的开关作用或信号放大功能。适合驱动小型负载或者作为信号级放大元件,在音频处理、通信设备以及消费电子产品的小信号控制中有着广泛的应用。

这款数字晶体管属于NPN型,具有稳定的电气性能,适用于多种电路设计。能够在中低压环境下提供可靠的开关作用或信号放大功能。适合驱动小型负载或者作为信号级放大元件,在音频处理、通信设备以及消费电子产品的小信号控制中有着广泛的应用。

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