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特性:内置偏置电阻,无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入正偏置,几乎完全消除寄生效应。只需设置开/关条件即可操作,使设备设计变得容易

特性:内置偏置电阻,无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入正偏置,几乎完全消除寄生效应。仅需设置开/关条件即可操作,便于设备设计

这款数字晶体管属于NPN型,具有稳定的电气性能,适用于多种电路设计。能够在中低压环境下提供可靠的开关作用或信号放大功能。适合驱动小型负载或者作为信号级放大元件,在音频处理、通信设备以及消费电子产品的小信号控制中有着广泛的应用。

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PNP 电阻型晶体管(封装详情见“简化外形、符号和引脚图”)。

特性:内置偏置电阻,无需连接外部输入电阻即可配置逆变器电路。偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入正偏置,几乎完全消除寄生效应。只需设置开/关条件即可操作,使设备设计变得容易

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特性:封装内有两个DTC143T芯片。 晶体管元件相互独立,消除干扰。 可将安装成本和面积减半。 SOT-363封装

特性:AEC-Q101认证。 超小型封装,适合高密度安装。 集成偏置电阻,减少外部部件数量,可减小系统尺寸并缩短组装时间。 提供多种电阻值选择,以适应各种电路设计。 与RN2101MFV至RN2106MFV互补。应用:开关。 逆变器电路

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此系列数字晶体管适用于替换单器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管,搭载一个由两个电阻组成的单片偏置网络;一个串联基极电阻和一个基极-射极电阻。该 BRT 将这些组件集成到了一个器件中,因此不再需要这些外部组件。使用 BRT 可以同时降低系统成本和板空间。

特性:内置偏置电阻,无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入正偏置,几乎完全消除寄生效应。 只需设置开/关条件即可操作,便于设备设计。 产品材料符合RoHS要求。 S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用;通过AEC-Q101认证,具备生产件批准程序(PPAP)能力。应用:逆变器。 接口

特性:AEC-Q101合格。 集成偏置电阻减少了所需的外部部件数量,从而减小系统尺寸并缩短组装时间。 提供具有广泛电阻范围的晶体管,以适应各种电路设计。 与RN1401至RN1406互补。应用:开关。 逆变器电路

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集射极击穿电压(Vceo):50V 集电极电流(Ic):500mA 耗散功率(Pd):250mW 直流电流增益(hFE):70@50mA,5V

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此系列数字晶体管适用于替换单器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管,搭载一个由两个电阻组成的单片偏置网络;一个串联基极电阻和一个基极-射极电阻。该 BRT 将这些组件集成到了一个器件中,因此不再需要这些外部组件。使用 BRT 可以同时降低系统成本和板空间。

特性:外延平面管芯结构。 有互补PNP类型(DDTA)。 内置偏置电阻,R1≠R2。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑的“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准,可靠性高。 可提供PPAP文件

NPN/PNP 配备电阻的双晶体管 (RET) 系列,采用非常小的 SOT363 (SC-88) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

特性:外延平面管芯结构。 有互补PNP类型(DDTA)。 内置偏置电阻,R1 = R2。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤和无锑的“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准,具有高可靠性。 具备PPAP能力