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逻辑电平转换 微控制器接口 显示驱动 低功耗电路 通信接口保护 音频和视频设备 测试测量仪器

特性:内置偏置电阻。 简化电路设计。 减少零件数量和制造工艺。应用:开关应用。 接口电路和驱动电路应用

这款新型数字晶体管系列旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管(BRT)包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管,即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT通过将这些单独的组件集成到一个器件中,消除了这些组件。使用BRT可以降低系统成本和电路板空间。该器件采用SC-70/SOT-323封装,专为低功率表面贴装应用而设计。

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特性:内置偏置电阻,无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入正偏置,几乎完全消除寄生效应。 仅需设置开/关条件即可操作,便于器件设计

特性:内置偏置电阻,无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入正偏置,几乎完全消除寄生效应。 操作只需设置开/关条件,便于设备设计

特性:内置偏置电阻,简化电路设计。 减少元件数量。 降低贴装成本。应用:通用开关和放大。 逆变器和接口电路

特性:内置偏置电阻。 简化电路设计。 减少零件数量和制造工艺。 高封装密度。应用:开关应用。 接口电路和驱动电路应用

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特性:内置偏置电阻,R1 = R2 = 4.7kΩ。 内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。 仅需设置开/关条件即可操作,使电路设计简单。 互补NPN类型。应用:反相器。 接口

特性:内置偏置电阻,无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入负偏置,几乎完全消除寄生效应。只需设置开/关条件即可操作,使设备设计更简单。通过AEC-Q101认证

特性:两个晶体管内置在一个封装中。 适用于电源开关电路。 可将安装成本和面积减半

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这款数字晶体管采用先进的SOT-363封装,内置一对互补NPN型晶体管。器件提供50V的集射极击穿电压(Vceo)及0.1A的最大集电极电流(Ic),功率耗散能力为150mW。其卓越的低饱和电压特性,在5mA集电极电流和0.25mA基极电流时,VCE(sat)仅为300mV,同时拥有出色的直流电流增益,hFE在1mA/5V条件下范围达100至600。此外,该晶体管具有高达250MHz的截止频率(fT),确保高速开关性能。适用于各类低功耗、高速数字电路设计,如逻辑门电路、信号放大器等应用场合,以其小巧体积与优越电气性能满足现代电子设备精细化需求。

特性:AEC-Q101合格。 超小型封装,适合非常高密度的安装。 集成偏置电阻减少了所需的外部部件数量,从而减小系统尺寸并缩短组装时间。 提供具有广泛电阻范围的晶体管,以适应各种电路设计。 与RN1101MFV至RN1106MFV互补。应用:开关。 逆变器电路

特性:内置偏置电阻。 一个封装内有两个DTC114Y芯片。 内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入负偏置,且完全消除寄生效应。 操作只需设置开/关条件,使电路设计简单。 无铅/符合RoHS标准。应用:反相器电路。 接口电路

集射极击穿电压(Vceo):50V 集电极电流(Ic):100mA 耗散功率(Pd):300mW 直流电流增益(hFE):100@10mA,5V

此系列数字晶体管用于替代一个器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管和一个由两个电阻组成的单片偏置网络;一个串联基极电阻和一个基极发射电阻。该 BRT 无需这些独立组件,它们已集成到单个器件中。采用 BRT 既可以降低系统成本,又可以节省在板空间。