NPN低VCEsat性能基极(PB)配备电阻的晶体管(RET),采用小型SOT23(TO-236AB)表面贴装器件(SMD)塑料封装。PNP互补型号为PBRP113ET。
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采用超小型SOT363(SC - 88)表面贴装器件(SMD)塑料封装的PNP/PNP双电阻晶体管(RET)。NPN/PNP互补型号:PUMD3
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适用于开关电路、逆变器电路、驱动电路,内置偏置电阻(R1 = 1kΩ,R2 = 10kΩ),无铅(符合RoHS标准)封装,符合AEC Q101标准。
PNP低VCEsat小信号突破(BISS)晶体管和NPN电阻式晶体管(RET)封装在一个封装中。
特性:内置偏置电阻。 简化电路设计。 减少零件数量和制造工艺。应用:开关应用。 接口电路和驱动电路应用
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数字晶体管的快速开关能力使其能够处理高速信号,同时其低功耗特性有助于延长电子设备的电池寿命。
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特性:内置偏置电阻。 简化电路设计。 减少零件数量和制造工艺
特性:内置偏置电阻,无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入负偏置,几乎完全消除寄生效应。 操作时只需设置开/关条件,便于设备设计
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特性:内置偏置电阻。 内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。 只需设置开/关条件即可操作,使电路设计更简单。 互补PNP类型。应用:反相器。 接口
这种新型数字晶体管系列旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。BRT(偏置电阻晶体管)包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管,即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT 通过将这些单个组件集成到一个器件中,消除了这些组件。使用 BRT 可以降低系统成本和电路板空间。该器件采用 SOT-723 封装,专为低功率表面贴装应用而设计。
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