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这款新型数字晶体管系列旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管(BRT)包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管,即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT 通过将这些单独的组件集成到单个器件中,消除了这些组件。使用 BRT 可以降低系统成本和电路板空间。该器件采用 SOT-723 封装,专为低功率表面贴装应用而设计。

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PNP 电阻式晶体管。

适用于开关应用、接口电路和驱动电路应用。

特性:内置偏置电阻,R1 = 4.7kΩ,R2 = 10kΩ。 内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。 只需设置开/关条件即可操作,使电路设计更简单。 互补NPN类型。应用:反相器。 接口

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PNP电阻式晶体管,采用表面贴装器件(SMD)塑料封装。

UMH11N-F2-0000HF

此系列数字晶体管用于替代单器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管,搭载一个由两个电阻组成的单片偏置网络;一个串联基极电阻和一个基极-射极电阻。该 BRT 将这些组件集成到了一个器件中,因此不再需要这些外部组件。采用 BRT 既可以降低系统成本,又可以节省在板空间。

该系列数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管(BRT)包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管,即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT 通过将这些单独的组件集成到一个器件中,减少了系统成本和电路板空间。

特性:内置偏置电阻。 内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入负偏置,且完全消除寄生效应。 操作只需设置开/关条件,使电路设计简单。 无铅/符合RoHS标准。应用:开关电路。 反相器电路

特性:一个封装内有两个DTA143T芯片。 安装成本和面积减半

特性:内置偏置电阻,R1 = R2 = 10kΩ。 内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。 只需设置开/关条件即可操作,使电路设计变得简单。 互补PNP类型。应用:反相器。 接口

BRT(偏置电阻晶体管)包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单晶体管,即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。这些数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。BRT 通过将这些单独的组件集成到单个器件中,消除了这些组件。在该系列中,两个互补的 BRT 器件封装在 SOT-363 封装中,非常适合对电路板空间要求较高的低功率表面贴装应用。

PNP电阻型晶体管(RET)系列采用小型SOT23(TO-236AB)表面贴装器件(SMD)塑料封装。

这款新型数字晶体管系列旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管(BRT)包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管,即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT 通过将这些单独的组件集成到单个器件中,消除了这些组件。使用 BRT 可以降低系统成本和电路板空间。该器件采用 SOT-723 封装,专为低功率表面贴装应用而设计。

特性:两个DTC114T芯片采用EMT、UMT或SMT封装。 可使用EMT3、UMT3或SMT3自动贴装机进行贴装。 晶体管元件相互独立,消除干扰。 可将贴装成本和面积降低一半。应用:逆变器。 接口

特性:外延平面芯片结构。 提供互补PNP类型(DDA)。 内置偏置电阻。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 DDC(XXXX)UQs适用于需要特定变更控制的汽车应用,这些部件符合AEC-Q101标准,具备PPAP能力,并在通过IATF 16949认证的工厂生产

该系列数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管;一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT 通过将这些单独的组件集成到单个器件中,消除了这些组件。使用 BRT 可以降低系统成本和电路板空间。

此系列数字晶体管用于替代一个器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管和一个由两个电阻组成的单片偏置网络;一个串联基极电阻和一个基极发射电阻。该 BRT 将这些组件集成到了一个器件中,因此不再需要这些外部组件。使用 BRT 可以同时降低系统成本和板空间。