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特性:内置偏置电阻,R1 = 2.2kΩ,R2 = 10kΩ。 内置偏置电阻使无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。 仅需设置开/关条件即可操作,使电路设计简单。 互补PNP类型。应用:反相器。 接口

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BRT(偏置电阻晶体管)包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单晶体管,即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。这些数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。BRT通过将这些单独的组件集成到单个器件中消除了它们。在该系列中,两个互补的BRT器件封装在SOT-363封装中,这对于电路板空间有限的低功率表面贴装应用来说是理想的。简化电路设计,减少电路板空间,减少组件数量。产品材料符合RoHS要求且无卤素。S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用;符合AEC-Q101标准且具备PPAP能力。

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特性:内置偏置电阻,简化电路设计。 减少元件数量。 降低贴装成本。应用:通用开关和放大。 逆变器和接口电路

此系列数字晶体管用于替代单器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管,搭载一个由两个电阻组成的单片偏置网络;一个串联基极电阻和一个基极-射极电阻。该 BRT 将这些组件集成到了一个器件中,因此不再需要这些外部组件。采用 BRT 既可以降低系统成本,又可以节省在板空间。

特性:一个封装内内置两个芯片。 可使用SOT-563自动贴装机进行贴装。 晶体管元件相互独立,无干扰。 可将贴装成本和面积降低一半。 通过AEC-Q101认证

特性:两个采用UMT和SMT封装的DTA114E芯片。 可将安装成本和面积减半。应用:逆变器。 接口

特性:包含两个采用US6封装(6引脚超小型)的器件。 内置偏置电阻。 简化电路设计。 减少零件数量和制造工艺。 与RN2901至RN2906互补。应用:开关电路。 逆变器电路

特性:内置偏置电阻,R1 = 1kΩ,R2 = 10kΩ。 内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。 操作时只需设置开/关条件,使电路设计简单。 互补PNP类型:DTB113ZK。应用:反相器。 接口

特性:供电电压 VO = 50V。 偏置电阻范围。 表面贴装封装,适合自动组装。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 适用于需要特定变更控制的汽车应用,这些部件通过 AEC-Q101 认证,具备 PPAP 能力,并在通过 IATF 16949 认证的工厂生产

特性:除了普通数字晶体管的特性外。低饱和电压,在集电极电流 (Ic) / 基极电流 (Ib) = 50mA / 2.5mA 时,典型值集电极-发射极饱和电压 (VCE(sat)) = 40mV,使这些晶体管非常适合用于静音电路。这些晶体管可以在高电流水平下使用,集电极电流 (Ic) = 600mA

NPN/PNP双电阻晶体管(RET),采用表面贴装器件(SMD)塑料封装。

该系列数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管,即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT 通过将这些单独的组件集成到一个器件中,消除了这些组件。使用 BRT 可以降低系统成本和电路板空间。

特性:两个DTC114E芯片封装在EMT、UMT或SMT中。 可使用EMT3、UMT3或SMT3自动贴装机进行贴装。 晶体管元件相互独立,消除干扰。 可将安装成本和面积减半。应用:逆变器。 接口

特性:两个数字晶体管封装在SMT封装中。 可驱动高达500mA的电流。 驱动晶体管的低VCE(sat),以实现低功耗。

特性:包含两个采用SM6封装(6引脚超小型)的器件。 内置偏置电阻。 简化电路设计。 减少零件数量和制造工艺,使设备小型化。应用:开关电路。 逆变器电路

特性:低集电极饱和电压:VCE(sat) = 0.5V(Max.),IC = 1A。 高速开关时间:tsig = 1.0μS(Typ.)。 与KTA1715互补。应用:功率放大器应用。 功率开关应用

特性:内置偏置电阻,无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入负偏置,几乎完全消除寄生效应。 操作时只需设置开/关条件,便于设备设计