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此系列数字晶体管用于替代单器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管,搭载一个由两个电阻组成的单片偏置网络;一个串联基极电阻和一个基极-射极电阻。该 BRT 将这些组件集成到了一个器件中,因此不再需要这些外部组件。采用 BRT 既可以降低系统成本,又可以节省在板空间。

特性:内置偏置电阻,无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入负偏置,几乎完全消除寄生效应。 只需设置开/关条件即可操作,使设备设计变得简单

特性:内置偏置电阻,R1 = R2 = 22kΩ。 内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。 仅需设置开/关条件即可操作,使电路设计更简单。 互补PNP类型。应用:反相器。 接口

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特性:内置偏置电阻,R1 = R2 = 10kΩ。 内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。 操作时只需设置开/关条件,使电路设计更简单。 互补PNP类型。应用:反相器。 接口

特性:湿度敏感度等级1。 表面贴装封装,非常适合自动插入。 无卤

特性:外延平面管芯结构。 有互补PNP类型(DDTA)。 内置偏置电阻,R1 = R2。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准,具备高可靠性和PPAP能力

特性:内置在一个封装中,适用于电源开关电路。可将安装成本和面积减半

特性:内置偏置电阻,无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入负偏置,几乎完全消除寄生效应。 操作时只需设置开/关条件,便于设备设计

NPN/NPN双电阻晶体管(RET),采用表面贴装器件(SIMD)塑料封装。

特性:内置偏置电阻。 简化电路设计。 减少零件数量和制造工艺。 高封装密度。 后缀U:符合AFC-Q101标准。 后缀Δ:USMI(1)封装。应用:开关应用。 接口电路

特性:外延平面芯片结构。 内置偏置电阻,仅R1。 表面贴装封装,适合自动化组装。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件

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该系列数字晶体管用于替代单个器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管和一个由两个电阻组成的单片偏置网络:一个串联基极电阻和一个基极发射电阻。该 BRT 将这些独立组件集成到了单个器件中,因此不再需要这些单独组件。采用 BRT 既可以降低系统成本,又可以节省板空间。

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特性:内置偏置电阻。 内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入负偏置,还能完全消除寄生效应。 操作时只需设置开/关条件,使电路设计变得容易。 互补PNP类型。应用:反相器。 接口

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特性:两个DTC143T芯片封装在EMT、UMT或SMT中。 可将安装成本和面积减半。应用:逆变器。 接口