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二极管 / 晶体管型号

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特性:内置偏置电阻,无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路(参见等效电路)。偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入负偏置,几乎完全消除寄生效应。仅需设置开/关条件即可操作,使设备设计变得容易

CJ(江苏长电/长晶)SOT-23
二极管 / 晶体管数字晶体管
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晶体管类型:1个NPN-预偏置 功率(Pd):150mW 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V 集电极截止电流(Icbo):100nA 集射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):250mV@10mA,1mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):30@10mA,5V

MSKSEMI(美森科)SOT-523
二极管 / 晶体管数字晶体管
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特性:内置偏置电阻,无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入负偏置,几乎完全消除寄生效应。操作只需设置开/关条件,便于设备设计

CJ(江苏长电/长晶)SOT-323
二极管 / 晶体管数字晶体管
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TECH PUBLIC(台舟)SOT-23
二极管 / 晶体管数字晶体管
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TECH PUBLIC(台舟)SOT-23
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TECH PUBLIC(台舟)SOT-23
二极管 / 晶体管数字晶体管
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TECH PUBLIC(台舟)SOT-23
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TECH PUBLIC(台舟)SOT-23
二极管 / 晶体管数字晶体管
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TECH PUBLIC(台舟)SOT-23
二极管 / 晶体管数字晶体管
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TECH PUBLIC(台舟)SOT-23
二极管 / 晶体管数字晶体管
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TECH PUBLIC(台舟)SOT-23
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TECH PUBLIC(台舟)SOT-23
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TECH PUBLIC(台舟)SOT-23
二极管 / 晶体管数字晶体管
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晶体管类型:1个PNP-预偏置 功率(Pd):150mW 集电极电流(Ic):100mA 最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo):1.4V@1mA,0.3V 最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc):300mV@100uA,5V 输出电压(VO(on)@Io/Ii):300mV@5mA,0.25mA

MSKSEMI(美森科)SOT-523
二极管 / 晶体管数字晶体管
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特性:内置偏置电阻,R1 = R2 = 4.7kΩ。 内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。 操作时只需设置开/关条件,使电路设计更简单。 互补NPN类型。应用:反相器。 接口

ROHM(罗姆)SOT-416F
二极管 / 晶体管数字晶体管
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特性:内置偏置电阻,无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入负偏置,几乎完全消除寄生效应。 操作只需设置开/关条件,便于设备设计

Slkor(萨科微)SOT-23
二极管 / 晶体管数字晶体管
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特性:内置偏置电阻,无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入负偏置,几乎完全消除寄生效应。 仅需设置开/关条件即可操作,便于设备设计

CJ(江苏长电/长晶)SOT-723
二极管 / 晶体管数字晶体管
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DTC114EUA-F2-0000HF

YANGJIE(扬杰)SOT-323
二极管 / 晶体管数字晶体管
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集射极击穿电压(Vceo):50V 集电极电流(Ic):100mA 耗散功率(Pd):200mW 直流电流增益(hFE):30@5mA,5V

JSMSEMI(杰盛微)SOT-323
二极管 / 晶体管数字晶体管
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