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晶体管类型:1个NPN-预偏置 功率(Pd):200mW 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V NPN,Vcc=50V,Io=100mA,Pd=200mW

应用:开关电路。 接口电路。 驱动电路

适用于高电流开关、接口电路和驱动电路应用。

内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路(参见等效电路)。偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入进行负偏置。它们还具有几乎完全消除寄生效应的优点

特性:内置偏置电阻,无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入正偏置,几乎完全消除寄生效应。 操作只需设置开/关条件,便于设备设计

适用于开关、接口电路和驱动电路应用。

特性:内置偏置电阻,无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入负偏置,几乎完全消除寄生效应。仅需设置开/关条件即可操作,便于设备设计

逻辑电平转换 负载开关 LED驱动器 信号放大与缓冲 固态继电器

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该系列数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管,即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT 通过将这些单独的组件集成到一个器件中来消除它们。使用 BRT 可以降低系统成本和电路板空间。该器件采用 SOT-23 封装,专为低功率表面贴装应用而设计。

数字晶体管的快速开关能力使其能够处理高速信号,同时其低功耗特性有助于延长电子设备的电池寿命。

数字晶体管的快速开关能力使其能够处理高速信号,同时其低功耗特性有助于延长电子设备的电池寿命。

数字晶体管的快速开关能力使其能够处理高速信号,同时其低功耗特性有助于延长电子设备的电池寿命。

这款NPN型数字晶体管采用小型化SOT-23封装,专为高效能、低功耗的电子设计打造。器件支持最大50V集射极电压(Vcc),具备0.1A连续输出电流能力(Io),功率消耗仅为0.2W,确保在紧凑空间内实现卓越性能。独特之处在于集成有精准电阻网络,其中R1阻值设定为2.2Ω,并具有与R1约4.5倍的比例关系(R1/R2=4.5),极大简化了电路设计和提升了系统稳定性。适用于各类逻辑门电路、信号切换等数字应用领域,是现代微型化电子产品中不可或缺的核心组件之一。

数字晶体管的快速开关能力使其能够处理高速信号,同时其低功耗特性有助于延长电子设备的电池寿命。

特性:内置偏置电阻,无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入负偏置,几乎完全消除寄生效应。 操作只需设置开/关条件,便于设备设计

特性:简化电路设计。 减少电路板空间和元件数量。 产品材料符合RoHS要求且无卤。 S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用;符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序(PPAP)能力

特性:内置偏置电阻,无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入负偏置,几乎完全消除寄生效应。只需设置开/关条件即可操作,便于设备设计

晶体管类型:1个NPN-预偏置 功率(Pd):150mW 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V 集电极截止电流(Icbo):100nA 集射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):250mV@10mA,1mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):350@10mA,5V 输入电阻:4.7kΩ

SOT-23 塑封封装 硅 PNP 数字三极管。