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特性:供电电压 VO = 50V。 偏置电阻范围。 表面贴装封装,适合自动组装。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 适用于需要特定变更控制的汽车应用,这些部件通过 AEC-Q101 认证,具备 PPAP 能力,并在通过 IATF 16949 认证的工厂生产

特性:一个封装中包含两个DTC114E芯片。 可使用SOT-363自动贴装机进行贴装。 晶体管元件相互独立,无干扰。 可将贴装成本和面积减半

特性:外延平面芯片结构。 提供互补NPN类型。 内置偏置电阻,R1 = R2。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准,可靠性高。 封装:SOT523。 封装材料:模塑塑料,“绿色”模塑料。 UL阻燃等级:94V-0。 湿度敏感度:根据J-STD-020为1级。 引脚:表面处理为哑光镀锡引线,可根据MIL-STD-202方法208焊接。 重量:约0.002克

特性:一个封装中包含两个DTA114Y芯片。可使用SOT-563自动贴装机进行安装。晶体管元件相互独立,消除干扰。可将安装成本和面积减半

此系列数字晶体管用于替代一个器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管和一个由两个电阻组成的单片偏置网络;一个串联基极电阻和一个基极发射电阻。该 BRT 将这些组件集成到了一个器件中,因此不再需要这些外部组件。使用 BRT 可以同时降低系统成本和板空间。

此系列数字晶体管用于替代单器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管,搭载一个由两个电阻组成的单片偏置网络;一个串联基极电阻和一个基极-射极电阻。该 BRT 将这些组件集成到了一个器件中,因此不再需要这些外部组件。采用 BRT 既可以降低系统成本,又可以节省在板空间。

该系列数字晶体管适用于替换单器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个单晶体管及两个电阻组成的单片偏置网络。串行基极电阻和基极电阻。该 BRT 无需这些独立组件,它们已集成到单个器件中。采用 BRT 既可以降低系统成本,又可以节省在板空间。

采用小型SOT457(SC - 74)表面贴装器件(SMD)塑料封装的500 mA、50 V NPN/PNP双带阻晶体管(RET)。

NPN/NPN 配备电阻的晶体管(RET)采用非常小的 SOT363(SC-88)表面贴装器件(SMO)塑料封装。

PNP/PNP 配备电阻的双晶体管 (RET),采用小型 SOT457 (SC-74) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。NPN/NPN 互补型号为 PIMN31,NPN/PNP 互补型号为 PIMC31。

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开关电路、逆变器、接口电路、驱动电路;一个封装内有两个(电流)内部隔离的NPN/PNP晶体管;内置偏置电阻NPN和PNP(R1 = 22kΩ,R2 = 22kΩ);无铅(符合RoHS标准)封装;符合AEC Q101标准。

特性:内置偏置电阻。 简化电路设计。 减少零件数量和制造工艺

特性:内置偏置电阻,无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入负偏置,几乎完全消除寄生效应。 只需设置开/关条件即可操作,便于设备设计

特性:内置偏置电阻,无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入负偏置,几乎完全消除寄生效应。 只需设置开/关条件即可操作,使设备设计变得容易

这种新型数字晶体管系列旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管(BRT)包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管,即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT通过将这些单独的组件集成到一个器件中,消除了这些组件。使用BRT可以降低系统成本和电路板空间。该器件采用SOT-23封装,专为低功率表面贴装应用而设计。

特性:内置偏置电阻,R1 = R2 = 10kΩ。 内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。 操作时只需设置开/关条件,使电路设计更简单。 互补PNP类型。应用:反相器。 接口

NPN 电阻型晶体管(封装细节见“简化外形、符号和引脚”)。

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特性:内置偏置电阻,无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入负偏置,几乎完全消除寄生效应。 操作只需设置开/关条件,便于设备设计