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二极管 / 晶体管型号

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特性:内置偏置电阻,无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入负偏置,几乎完全消除寄生效应。 操作只需设置开/关条件,便于设备设计

YONGYUTAI(永裕泰)SOT-23
二极管 / 晶体管数字晶体管
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CBI(创基)SOT-23-3L
二极管 / 晶体管数字晶体管
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电流:100mA 电压:50V

CBI(创基)SOT-23
二极管 / 晶体管数字晶体管
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CBI(创基)SOT-23-3L
二极管 / 晶体管数字晶体管
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特性:内置偏置电阻,无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入正偏置,几乎完全消除寄生效应。 只需设置开/关条件即可操作,便于设备设计

CBI(创基)SOT-23
二极管 / 晶体管数字晶体管
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CBI(创基)SOT-23
二极管 / 晶体管数字晶体管
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电流:100mA 电压:5V

CBI(创基)SOT-523
二极管 / 晶体管数字晶体管
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特性:内置偏置电阻,无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入负偏置,几乎完全消除寄生效应。 只需设置开/关条件即可操作,便于设备设计

CBI(创基)SOT-23-3L
二极管 / 晶体管数字晶体管
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特性:内置偏置电阻。 简化电路设计。 减少零件数量和制造工艺

Slkor(萨科微)SOT-523
二极管 / 晶体管数字晶体管
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数字晶体管的快速开关能力使其能够处理高速信号,同时其低功耗特性有助于延长电子设备的电池寿命。

GOODWORK(固得沃克)SOT-323
二极管 / 晶体管数字晶体管
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本款数字NPN晶体管采用先进的SOT-523封装技术,体积小巧,适用于高密度电路设计。其工作电压高达50V,连续电流为0.1A,功率耗散可达0.15W,具备出色的能耗控制性能。内部配置精密电阻网络,其中R1为4.7Ω,R1/R2比例为10,确保了器件在开关和放大状态下的稳定性和精准性,是各类微电子设备的理想选择。

HXY MOSFET(华轩阳电子)SOT-523
二极管 / 晶体管数字晶体管
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CBI(创基)SOT-23
二极管 / 晶体管数字晶体管
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用于开关、接口电路和驱动电路应用

CBI(创基)SOT-23
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此款NPN型数字晶体管采用紧凑的SOT-23封装,适用于低功耗数字电路设计。该器件具有50V的最大集射极电压(Vcc),可承受0.1A的连续输出电流(Io),功率消耗仅为0.2W,确保高效能与节能表现。此外,其内置精密电阻网络,其中R1设定为4.7Ω,并且R1/R2比例为10,有助于简化外围电路设计和提高系统稳定性。这款晶体管凭借小巧体积、优异电气性能及集成电阻特性,广泛应用于逻辑门电路、信号切换以及其他各类精密电子设备中。

HXY MOSFET(华轩阳电子)SOT-23
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CBI(创基)SOT-323
二极管 / 晶体管数字晶体管
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特性:内置偏置电阻,无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入负偏置,几乎完全消除寄生效应。 仅需设置开/关条件即可操作,便于设备设计。 防潮等级 1 级。 环氧树脂符合 UL 94 V-0 阻燃等级。 无铅表面处理/符合 RoHS 标准(后缀 “P” 表示符合 RoHS 标准)

MCC(美微科)SOT-23
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应用:开关电路。 接口电路。 驱动电路

CBI(创基)SOT-23
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特性:内置偏置电阻。 简化电路设计。 减少零件数量和制造工艺

ST(先科)SOT-523
二极管 / 晶体管数字晶体管
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特性:内置偏置电阻,无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入负偏置,几乎完全消除寄生效应。 操作只需设置开/关条件,便于设备设计

YONGYUTAI(永裕泰)SOT-23
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这一系列数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管(BRT)包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的晶体管,即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT通过将这些单独的组件集成到单个器件中,消除了这些组件。使用BRT可以降低系统成本和电路板空间。该器件采用SOT-23封装,专为低功率表面贴装应用而设计。

LRC(乐山无线电)SOT-23
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