NPN 电流:100mA 电压:50V
CBI(创基)SOT-323
二极管 / 晶体管数字晶体管
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特性:内置偏置电阻,无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入负偏置,几乎完全消除寄生效应。 只需设置开/关条件即可操作,便于设备设计
CBI(创基)SOT-23
二极管 / 晶体管数字晶体管
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电流:100mA 电压:50V
CBI(创基)SOT-23
二极管 / 晶体管数字晶体管
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特性:内置偏置电阻,无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入负偏置,几乎完全消除寄生效应。 只需设置开/关条件即可操作,便于设备设计
Slkor(萨科微)SOT-523
二极管 / 晶体管数字晶体管
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CBI(创基)SOT-323
二极管 / 晶体管数字晶体管
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特性:内置偏置电阻,无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入负偏置,并几乎完全消除寄生效应。 操作只需设置开/关条件,便于设备设计
MSKSEMI(美森科)SOT-23
二极管 / 晶体管数字晶体管
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特性:内置偏置电阻,无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路(参见等效电路)。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入负偏置,几乎完全消除寄生效应。 只需设置开/关条件即可操作,便于设备设计
Slkor(萨科微)SOT-523
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NPN 电流:10mA 电压:2V
CBI(创基)SOT-23
二极管 / 晶体管数字晶体管
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电流:100mA 电压:50V
CBI(创基)SOT-523
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NPN 电流:5mA 电压:2V
CBI(创基)SOT-23
二极管 / 晶体管数字晶体管
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电流:100mA 电压:50V
CBI(创基)SOT-523
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CBI(创基)SOT-323
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CBI(创基)SOT-23
二极管 / 晶体管数字晶体管
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特性:内置偏置电阻,无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入正偏置,几乎完全消除寄生效应。 只需设置开/关条件即可操作,便于设备设计
CBI(创基)SOT-523
二极管 / 晶体管数字晶体管
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这款数字晶体管系列旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管(BRT)包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的晶体管,即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT通过将这些单独的组件集成到单个器件中,消除了这些组件。使用BRT可以降低系统成本和节省电路板空间。该器件采用SOT-23封装,适用于低功率表面贴装应用。
LRC(乐山无线电)SOT-23
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微控制器输出驱动 逻辑门电路 脉冲宽度调制(PWM)驱动 接口电路切换 传感器信号放大 待机电路 低压开关电源
HXY MOSFET(华轩阳电子)SOT-523
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晶体管类型:1个NPN-预偏置 功率(Pd):150mW 集电极电流(Ic):100mA 集射极击穿电压(Vceo):50V 集电极截止电流(Icbo):100nA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):140@5mA,10V
TWGMC(迪嘉)SOT-523
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CBI(创基)SOT-323
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