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特性:内置偏置电阻,R1 = R2 = 22kΩ。 内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。 只需设置开/关条件即可操作,使电路设计更简单。 互补PNP类型。应用:反相器。 接口

特性:内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入负偏置,几乎完全消除寄生效应。操作时只需设置开/关条件,便于设备设计

BRT(偏置电阻晶体管)包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单晶体管,即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。这些数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。BRT通过将这些单独的组件集成到单个器件中消除了它们。在该系列中,两个互补的BRT器件封装在SOT-363封装中,这对于电路板空间有限的低功率表面贴装应用来说是理想的。简化电路设计,减少电路板空间,减少组件数量。产品材料符合RoHS要求且无卤素。S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用;符合AEC-Q101标准且具备PPAP能力。

特性:内置偏置电阻,R1 = 10kΩ,R2 = 47kΩ。 内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。 操作时只需设置开/关条件,使电路设计变得简单。应用:反相器。 接口

特性:环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级。 无铅表面处理,符合RoHS标准。 可使用SOT-363自动贴装机进行安装。 晶体管元件相互独立,消除干扰

特性:外延平面管芯结构。 有互补PNP类型(DDTA)。 内置偏置电阻,R1≠R2。 无铅/符合RoHS标准。 “绿色”器件

该系列数字晶体管用于替代单个器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管和一个由两个电阻组成的单片偏置网络:一个串联基极电阻和一个基极发射电阻。该 BRT 将这些独立组件集成到了单个器件中,因此不再需要这些单独组件。采用 BRT 既可以降低系统成本,又可以节省板空间。

特性:内置偏置电阻,无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,可实现输入的正偏置,几乎完全消除寄生效应。 只需设置开/关条件即可操作,使设备设计更简单。 通过AEC-Q101认证

特性:内置偏置电阻,R1 = R2 = 22kΩ。 内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。 仅需设置开/关条件即可操作,使电路设计简单。 互补PNP类型:DTA024E系列。应用:反相器。 接口

BRT(偏置电阻晶体管)包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单晶体管,即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。这些数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。BRT通过将这些单个组件集成到一个器件中来消除它们。在该系列中,两个BRT器件封装在SOT-363封装中,这对于电路板空间有限的低功耗表面贴装应用非常理想。简化电路设计,减少电路板空间,减少组件数量。有8mm 7英寸/3000单位卷带包装。产品材料符合RoHS要求。S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用;符合AEC-Q101标准且具备PPAP能力。

特性:内置偏置电阻,无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入正偏置,几乎完全消除寄生效应。 仅需设置开/关条件即可操作,便于设备设计。 产品材料符合RoHS要求。 S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 通过AEC-Q101认证,具备生产件批准程序能力。应用:反相器。 接口

NPN电阻式晶体管(封装详情见“简化外形、符号和引脚图”)。

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采用表面贴装器件(SMD)塑料封装的配备电阻的 PNP/PNP 晶体管(RET)。

偏置电阻晶体管(BRT)包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单晶体管,这两个电阻分别是基极串联电阻和基极 - 发射极电阻。这些数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。BRT 通过将这些分立元件集成到单个器件中,从而省去了它们

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该系列数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管(BRT)包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管;一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT通过将这些单独的组件集成到单个器件中来消除它们。使用BRT可以降低系统成本和电路板空间。

公开页面暂无产品说明。

特性:外延平面管芯结构。 有互补PNP类型(DDTA)。 内置偏置电阻,R1≠R2。 无铅/符合RoHS标准。 “绿色”器件

特性:AEC-Q101合格。 无卤“绿色”器件。 湿度敏感度等级1。 环氧树脂符合UL 94 V-0易燃性等级。 无铅涂层/RoHS合规(“P”后缀表示符合RoHS标准)