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Nexperia(安世)TSSOP-6
二极管 / 晶体管数字晶体管
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Nexperia(安世)TSOP-6
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Nexperia(安世)TSOP-6
二极管 / 晶体管数字晶体管
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R1=4.7K
KECSOT-23
二极管 / 晶体管数字晶体管
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特性:内置偏置电阻,R1 = R2 = 47kΩ。 内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。 操作时只需设置开/关条件,使电路设计简单。 互补NPN类型。应用:反相器。 接口
ROHM(罗姆)SOT-416
二极管 / 晶体管数字晶体管
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特性:内置偏置电阻,R1 = R2 = 47kΩ。 内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。 仅需设置开/关条件即可操作,使电路设计更简单。 互补NPN类型。应用:反相器。 接口
ROHM(罗姆)SOT-323-3
二极管 / 晶体管数字晶体管
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电流:100mA 电压:50V
CBI(创基)SOT-23
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电流:100mA 电压:50V
CBI(创基)SOT-23
二极管 / 晶体管数字晶体管
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NPN 电流:100mA 电压:2V
CBI(创基)SOT-23
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特性:内置偏置电阻,无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入负偏置,几乎完全消除寄生效应。 只需设置开/关条件即可操作,便于设备设计
SHIKUES(时科)SOT-523
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电流:100mA 电压:50V
CBI(创基)SOT-23
二极管 / 晶体管数字晶体管
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特性:内置偏置电阻,R1 = 10kΩ。 内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。 操作时只需设置开/关条件,使电路设计更简单。 互补PNP类型。应用:反相器。 接口
ROHM(罗姆)SOT-323FL
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特性:内置偏置电阻,无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入正偏置。 几乎完全消除寄生效应。 只需设置开/关条件即可操作,便于设备设计
DOWO(东沃)SOT-23
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特性:内置偏置电阻,R1 = R2 = 2.2kΩ。 内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。 操作只需设置开/关条件,使电路设计简单。 互补PNP类型:DTA023E系列。应用:INVERTER。 INTERFACE
ROHM(罗姆)SOT-323FL
二极管 / 晶体管数字晶体管
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数字带阻三极管配置:独立式;晶体管类型 NPN(内置 10kΩ 偏置电阻);1 个预偏置 NPN;直流电流增益 (hFE) 35;集电极截止电流 (Icbo) 500nA;集射极饱和电压 (VCE (sat)) 200mV;集射极击穿电压 (Vceo) 50V;射基极击穿电压 (VEBO) 5V;特征频率 (fT) 70MHz;集电极电流 (IC) 100mA;耗散功率 (Pd) 246mW;工作结温范围 - 55°C~+150°C
TDD(台冠电子)SOT-23
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数字带阻三极管配置:独立式;晶体管类型 NPN(内置 10kΩ 上下分压电阻);1 个预偏置 NPN;直流电流增益 (hFE) 35;集电极截止电流 (Icbo) 500nA;集射极饱和电压 (VCE (sat)) 200mV;集射极击穿电压 (Vceo) 50V;射基极击穿电压 (VEBO) 5V;特征频率 (fT) 70MHz;集电极电流 (IC) 100mA;耗散功率 (Pd) 246mW;工作结温范围 - 55°C~+150°C
TDD(台冠电子)SOT-23
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特性:内置偏置电阻,R1 = 1kΩ,R2 = 10kΩ。 内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。 仅需设置开/关条件即可操作,使电路设计更简单。 互补NPN类型。应用:反相器。 接口
ROHM(罗姆)SC-89
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NPN型硅外延平面晶体管
ST(先科)SOT-23
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DTA113ZUA-F2-0000HF
YANGJIE(扬杰)SOT-323
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ST(先科)SOT-323
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