海量元器件型号，
快速搜索匹配。

数字带阻三极管配置:独立式;晶体管类型 NPN(内置 4.7kΩ 基极电阻);1 个预偏置 NPN;直流电流增益 (hFE) 20;集电极截止电流 (Icbo) 500nA;集射极饱和电压 (VCE (sat)) 300mV;集射极击穿电压 (Vceo) 50V;射基极击穿电压 (VEBO) 5V;特征频率 (fT) 80MHz;集电极电流 (IC) 100mA;耗散功率 (Pd) 150mW;工作结温范围 - 55°C~+150°C

特性:内置偏置电阻,无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入负偏置,几乎完全消除寄生效应。 仅需设置开/关条件即可操作,便于设备设计

DTA114ECA-F2-0000HF

特性:内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置逆变器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入负偏置。 几乎完全消除寄生效应。 操作只需设置开/关条件,便于设备设计。应用:逆变器接口驱动器

特性:内置偏置电阻,R1 = R2 = 100kΩ。 内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。 仅需设置开/关条件即可操作,使电路设计变得容易。 互补PNP类型。应用:逆变器。 接口

SOT-23 塑封封装 硅 NPN 数字三极管。

这款数字晶体管为NPN型,具备稳定的电气性能。其集射极击穿电压(Vceo)可达50V,适用于多种电路设计中作为开关或放大元件。该晶体管的最大集电极电流(Ic)为100mA,能满足一般电子设备对电流控制的需求。此外,它能承受的最大功率损耗(Pd)为200mW,在设计紧凑型电子产品时提供了可靠的保障。此款晶体管凭借其合理的参数配置,适用于消费电子产品的信号处理及逻辑门电路构建中。

特性:外延平面芯片结构。 提供互补NPN类型(DDTC)。 内置偏置电阻,R1≠R2。 无铅/符合RoHS标准。 “绿色”器件

该系列数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管,即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT 通过将这些单独的组件集成到单个器件中,消除了这些组件。使用 BRT 可以降低系统成本和电路板空间。

特性:简化电路设计。 减少电路板空间。 减少元件数量。 符合RoHS标准。 环保型EMC。 哑光镀锡(Sn)引脚表面处理。 重量:约0.002g

这款数字晶体管为NPN型,具有稳定的集射极击穿电压Vceo达50V,适用于多种电子线路中作为开关或放大元件。其集电极最大电流Ic可达100mA,适合用于驱动小型负载或在信号处理电路中作为电流放大器,确保了在各类消费电子产品中的可靠性能。

NPN,带电阻

特性:内置偏置电阻。 内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入负偏置,还能完全消除寄生效应。 操作只需设置开/关条件,使电路设计简单。 无铅/RoHS 合规。应用:开关电路。 反相器电路

特性:内置偏置电阻。 简化电路设计。 减少零件数量和制造工艺。应用:开关应用。 接口电路和驱动电路应用

特性:外延平面管芯结构。 有互补PNP类型(DTA)。 内置偏置电阻,R1 = R2。 也有无铅版本。应用:NPN型数字晶体管

AEC-Q101车规双极型晶体管 DTC144 R1=R2=47KR

特性:内置偏置电阻,R1 = 10kΩ,R2 = 47kΩ。 内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。 操作时仅需设置开/关条件,使电路设计更简单。 互补PNP类型:DTA114Y系列。应用:反相器。 接口

这款数字晶体管为NPN型,具有稳固的性能表现。它拥有50V的集射极击穿电压(Vceo),能够有效防止电压过高导致的损坏。其集电极电流(Ic)可达100mA,适合用于要求不高且稳定的电流控制场合。此元件适用于消费电子产品中作为开关或小信号放大的基础组件,如在日常电子玩具、遥控装置以及家用电器的小型控制系统中发挥关键作用。

特性:内置偏置电阻,R1 = R2 = 4.7kΩ。 内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。 操作时只需设置开/关条件,使电路设计简单。 互补NPN类型。应用:反相器。 接口

DTC144EUA-F2-0000HF