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特性:内置偏置电阻。 内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入负偏置,且能完全消除寄生效应。 仅需设置开/关条件即可操作,使电路设计更简单。 互补NPN类型:DTC143X系列。 无铅/符合RoHS标准。应用:开关电路。 反相器电路

特性:AEC-Q101合格。 集成偏置电阻减少了所需的外部零件数量,从而减小系统尺寸并缩短组装时间。 提供具有广泛电阻范围的晶体管,以适应各种电路设计。 与RN2401至RN2406互补。应用:开关。 逆变器电路

DTA144EE-F2-0000HF

DTC124EE-F2-0000HF

DTC144EE-F2-0000HF

特性:内置偏置电阻,R1 = 1.0kΩ,R2 = 2.2kΩ。 内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。 操作时只需设置开/关条件,使电路设计简单。 互补NPN类型:DTC113Z系列。应用:反相器。 接口

公开页面暂无产品说明。

特性:内置偏置电阻。 简化电路设计。 减少零件数量和制造工艺。 高封装密度。应用:开关应用。 接口电路和驱动电路应用

特性:外延平面管芯结构。 有互补PNP类型(DDTA)。 内置偏置电阻,R1 = R2。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤和无锑的“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准,具有高可靠性。 具备PPAP能力

特性:内置偏置电阻。 简化电路设计。 减少零件数量和制造工艺。应用:开关和接口电路。 驱动电路

特性:供电电压 VO = 50V。 偏置电阻范围。 表面贴装封装,适合自动组装。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 适用于需要特定变更控制的汽车应用,这些部件通过 AEC-Q101 认证,具备 PPAP 能力,并在通过 IATF 16949 认证的工厂生产

特性:外延平面芯片结构。 有互补PNP类型(DDA)。 内置偏置电阻。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑的“绿色”器件。 适用于需要特定变更控制的汽车应用,这些部件符合AEC-Q101标准,具备PPAP能力,并在通过IATF 16949认证的工厂生产

DTA144ECA-F2-0000HF

特性:内置偏置电阻,R1 = 4.7kΩ,R2 = 47kΩ。 内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。 仅需设置开/关条件即可操作,使电路设计简单。 互补NPN类型。应用:反相器。 接口

AEC-Q101车规数字晶体管 NPN+PNP 数字三极管

此系列数字晶体管适用于替换单器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管,搭载一个由两个电阻组成的单片偏置网络;一个串联基极电阻和一个基极-射极电阻。该 BRT 将这些组件集成到了一个器件中,因此不再需要这些外部组件。使用 BRT 可以同时降低系统成本和板空间。

这款NPN型数字晶体管拥有50V的集射极击穿电压(Vceo),支持最大100mA的集电极电流(Ic),功率耗散能力为200mW。它适用于需要精确控制和稳定性能的各种电子电路,如信号放大、开关控制等。该晶体管在处理低至中等功率需求的应用中表现出色,是设计者构建高效、紧凑型电子设备的理想选择。

特性:内置偏置电阻,无需连接外部输入电阻即可配置逆变器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入正偏置,几乎完全消除寄生效应。 只需设置开/关条件即可操作,便于设备设计。 符合RoHS要求。 带有S前缀,适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用;通过AEC-Q101认证,具备PPAP能力。应用:逆变器。 接口

特性:内置偏置电阻,R1 = 10kΩ,R2 = 47kΩ。内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。仅需设置开/关条件即可操作,使电路设计更简单。互补NPN类型。应用:反相器。接口

此系列数字晶体管用于替代单器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管,搭载一个由两个电阻组成的单片偏置网络;一个串联基极电阻和一个基极-射极电阻。该 BRT 将这些组件集成到了一个器件中,因此不再需要这些外部组件。采用 BRT 既可以降低系统成本,又可以节省在板空间。