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该系列数字晶体管适用于替换单器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个单晶体管及两个电阻组成的单片偏置网络。串行基极电阻和基极电阻。该 BRT 无需这些独立组件,它们已集成到单个器件中。采用 BRT 既可以降低系统成本,又可以节省在板空间。

NPN 电阻式晶体管,采用表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

特性:一个封装中包含DTC144E芯片和DTA144E芯片。 内置偏置电阻,无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入负偏置,完全消除寄生效应。 只需设置开/关条件即可操作,电路设计简单。 无铅,符合RoHS标准。应用:反相器电路。 接口电路

该系列数字晶体管用于替代单个器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管和一个由两个电阻组成的单片偏置网络:一个串联基极电阻和一个基极发射电阻。该 BRT 将这些独立组件集成到了单个器件中,因此不再需要这些单独组件。采用 BRT 既可以降低系统成本,又可以节省板空间。

特性:外延平面管芯结构。 超小型无引线表面贴装封装。 非常适合自动化组装工艺。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑的“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准,具有高可靠性

PNP电阻型晶体管(RET)系列采用小型SOT23(TO-236AB)表面贴装器件(SMD)塑料封装。

该系列数字晶体管用于替代单个器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管和一个由两个电阻组成的单片偏置网络:一个串联基极电阻和一个基极发射电阻。该 BRT 将这些独立组件集成到了单个器件中,因此不再需要这些单独组件。采用 BRT 既可以降低系统成本,又可以节省板空间。

特性:供电电压 VO = 50V。 偏置电阻范围。 表面贴装封装,适合自动组装。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 适用于需要特定变更控制的汽车应用,这些部件通过 AEC-Q101 认证,具备 PPAP 能力,并在通过 IATF 16949 认证的工厂生产

特性:供电电压 VO = 50V。 偏置电阻范围。 表面贴装封装,适合自动组装。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 适用于需要特定变更控制的汽车应用,这些部件通过 AEC-Q101 认证,具备 PPAP 能力,并在通过 IATF 16949 认证的工厂生产

特性:外延平面芯片结构。 提供互补PNP类型(DDA)。 内置偏置电阻。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 DDC(XXXX)UQs适用于需要特定变更控制的汽车应用,这些部件符合AEC-Q101标准,具备PPAP能力,并在通过IATF 16949认证的工厂生产

特性:外延平面芯片结构。 内置偏置电阻。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑的“绿色”器件。 适用于需要特定变更控制的汽车应用,该产品符合AEC-Q101标准,具备PPAP能力,并在通过IATF 16949认证的工厂生产

此系列数字晶体管用于替代单器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个单晶体管,搭载一个由两个电阻组成的单片偏置网络;一个串行基极电阻和一个基极-射极电阻。该 BRT 将这些组件集成到了一个器件中,因此不再需要这些外部组件。采用 BRT 既可以降低系统成本,又可以节省在板空间。

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此系列数字晶体管用于替代单器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管,搭载一个由两个电阻组成的单片偏置网络;一个串联基极电阻和一个基极-射极电阻。该 BRT 将这些组件集成到了一个器件中,因此不再需要这些外部组件。采用 BRT 既可以降低系统成本,又可以节省在板空间。

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PNP 电阻型晶体管(封装详情见“简化外形、符号和引脚图”)。

此系列数字晶体管用于替代一个器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管和一个由两个电阻组成的单片偏置网络;一个串联基极电阻和一个基极发射电阻。该 BRT 将这些组件集成到了一个器件中,因此不再需要这些外部组件。使用 BRT 可以同时降低系统成本和板空间。

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