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这款数字晶体管为NPN型,具备50V的集射极击穿电压(Vceo),可以有效防止在高压条件下发生击穿现象。其支持的最大集电极电流(Ic)为100mA,适合用于驱动各类小型电子组件,如LED指示灯、音频电路以及其他需要中等电流控制的应用。凭借其合理的电压和电流规格,这款晶体管是日常电子项目中的可靠组件。

这款数字晶体管属于NPN+NPN类型,具备稳定的电气特性,适用于多种电子电路设计。其集射极击穿电压(Vceo)高达50V,确保了在高压环境下工作的可靠性。集电极最大电流(Ic)为100mA,适用于驱动各类小型负载或信号放大场合。该晶体管的最大耗散功率(Pd)为150mW,在保证效率的同时,也考虑到了散热与稳定性之间的平衡。适用于音频处理、通信设备中的信号放大及开关应用等场景。

双NPN硅外延平面数字晶体管,适用于开关、接口电路和驱动电路应用

特性:内置偏置电阻,R1 = R2 = 22kΩ。 内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。 仅需设置开/关条件即可操作,使电路设计简单。 互补PNP类型。应用:反相器。 接口

这款数字晶体管属于NPN型,具有稳定的电气特性,适用于多种电路设计中。其集射极击穿电压(Vceo)为50V,这意味着当集电极与发射极之间的电压差超过此值时,可能会导致器件损坏。此外,该晶体管的最大集电极电流(Ic)为30mA,限制了通过集电极所能承载的最大电流,适用于驱动小型负载或作为开关元件使用。此款晶体管在信号放大及逻辑门电路中有良好的表现,是电子爱好者和设计师的理想选择。

NPN 电阻式晶体管 (RET),采用小型 SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。PNP 互补型号为 PDTA143ET。

特性:外延平面管芯结构。 内置偏置电阻。 适合自动组装的表面贴装封装。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑的“绿色”器件

特性:内置偏置电阻,无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入正偏置,几乎完全消除寄生效应。 操作时只需设置开/关条件,便于设备设计

特性:外延平面管芯结构。 内置偏置电阻。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 适用于需要特定变更控制的汽车应用,该产品符合AEC-Q101标准,具备PPAP能力,并在通过IATF 16949认证的工厂生产

这款数字晶体管属于单个NPN-预偏置类型,其设计具备稳定的性能和广泛的适用性。该晶体管的最大集射极击穿电压(Vceo)为50V,能够有效地防止因过压而导致的损坏。其最大集电极电流(Ic)可达100mA,适用于驱动各类小型电子设备或电路中的信号放大。此外,该晶体管的功率耗散(Pd)为246mW,在确保功能的同时兼顾了能效,适用于多种电子项目的开发与集成,如家庭自动化、消费电子产品中的信号开关或逻辑门电路等。

此双NPN结构数字晶体管,性能均衡,50V Vceo耐压,0.07A Ic电流,0.15W Pd功率,展现稳定高效特性。适用于精细电路设计,提供精准信号控制与放大,是现代电子设备中不可或缺的智能元件。

500 mA NPN 带电阻晶体管(RET)系列。

特性:外延平面管芯结构。 有互补PNP类型(DDTA)。 内置偏置电阻,R1≠R2。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑的“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准,可靠性高。 可提供PPAP文件

该系列数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管(BRT)包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的晶体管,即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT通过将这些单独的组件集成到单个器件中,消除了这些组件。使用BRT可以降低系统成本和电路板空间。

特性:内置偏置电阻:R1 = 4.7kΩ,R2 = 47kΩ。 内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。 操作时只需设置开/关条件,便于电路设计。 互补PNP类型。应用:反相器。 接口

这款数字晶体管为NPN类型,其集射极击穿电压(Vceo)为50V,能够在多种电子设备中提供可靠的高电压隔离性能。集电极最大电流(Ic)为100mA,适用于信号放大以及开关电路设计。无论是音频处理还是逻辑电平转换等应用场景,此款晶体管都能提供稳定且高效的性能表现,是电子爱好者和设计工程师的理想选择。

特性:供电电压 VO = 50V。 偏置电阻范围。 表面贴装封装,适合自动组装。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 适用于需要特定变更控制的汽车应用,这些部件通过 AEC-Q101 认证,具备 PPAP 能力,并在通过 IATF 16949 认证的工厂生产

这款数字晶体管采用NPN+NPN双晶体管配置,具有50V的集射极击穿电压(Vceo),支持最大100mA的集电极电流(Ic),以及150mW的功率耗散(Pd)。适用于构建紧凑型电子电路,在消费电子产品、家用电器等领域中作为开关或放大元件使用。其稳定的电气性能和高效的能量转换能力使其成为实现电路设计需求的理想选择。

NPN 电阻式晶体管采用小型 SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

特性:两个芯片封装在EMT、UMT或SMT封装中。 可使用EMT3、UMT3或SMT3自动贴装机进行贴装。 晶体管元件相互独立,消除干扰。 可将安装成本和面积减半。应用:逆变器。 接口