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该系列数字晶体管用于替代单个器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管和一个由两个电阻组成的单片偏置网络:一个串联基极电阻和一个基极发射电阻。该 BRT 将这些独立组件集成到了单个器件中,因此不再需要这些单独组件。采用 BRT 既可以降低系统成本,又可以节省板空间。

特性:内置偏置电阻 (R1 = 10kΩ, R2 = 47kΩ)。 采用无铅 (符合 RoHS 标准) 封装。 符合 AEC Q101 标准

配备电阻的NPN/PNP晶体管(RET)。

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这一系列数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管;一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT 通过将这些单独的组件集成到单个器件中,消除了这些组件。使用 BRT 可以降低系统成本和电路板空间。

PNP低VCEsat 小信号突破(BISS)晶体管和NPN电阻式晶体管(RET)采用SOT457 (SC-74) 小型表面贴装器件(SMD)塑料封装。

PNP/PNP双电阻晶体管(RET),采用表面贴装器件(SMD)塑料封装。

采用小型SOT23(TO-236AB)表面贴装器件(SMD)塑料封装的PNP低VCEsat性能基(PB)带电阻晶体管(RET)。NPN互补型号为PBRN113ZT。

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特性:内置偏置电阻,R1 = 10kΩ,R2 = 47kΩ。 内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。 操作时只需设置开/关条件,使电路设计简单。 互补NPN类型。应用:反相器。 接口

特性:内置偏置电阻,R1 = R2 = 47kΩ。 内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。 操作时只需设置开/关条件,使电路设计更简单。 互补PNP类型:DTA144E系列。应用:反相器。 接口

特性:内置偏置电阻,R1 = R2 = 22kΩ。 内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。 仅需设置开/关条件即可操作,使电路设计更简单。 互补PNP类型。应用:反相器。 接口

这款新型数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。BRT(偏置电阻晶体管)包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管,即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT 通过将这些独立组件集成到单个器件中消除了它们。使用 BRT 可以降低系统成本和电路板空间。该器件采用 SC-89 封装,专为低功率表面贴装应用而设计。

特性:内置偏置电阻。 内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入负偏置,还能完全消除寄生效应。 仅需设置开/关条件即可操作,使电路设计变得容易。 无铅/符合RoHS标准。应用:开关电路。 反相器电路

特性:内置偏置电阻,R1 = 4.7kΩ,R2 = 47kΩ。 内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。 仅需设置开/关条件即可操作,使电路设计更简单。 互补NPN类型。应用:反相器。 接口