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特性:外延平面管芯结构。 有互补PNP类型(DDTA)。 内置偏置电阻,R1 = R2。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准,具备高可靠性和PPAP能力

应用:开关电路。接口电路。驱动电路

特性:内置偏置电阻,R1 = R2 = 4.7kΩ。 内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。 操作时只需设置开/关条件,便于电路设计。 互补NPN类型。应用:反相器。 接口

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特性:外延平面芯片结构。 有互补NPN类型(DDTC)。 内置偏置电阻,R1≠R2。 无铅、无卤素和无锑,符合RoHS标准的“绿色”器件

此系列数字晶体管用于替代一个器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管和一个由两个电阻组成的单片偏置网络;一个串联基极电阻和一个基极发射电阻。该 BRT 将这些组件集成到了一个器件中,因此不再需要这些外部组件。使用 BRT 可以同时降低系统成本和板空间。

特性:内置偏置电阻。 内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。 只需设置开/关条件即可操作,使电路设计变得简单。 互补NPN类型。应用:反相器。 接口

这款全新系列的数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。BRT(偏置电阻晶体管)包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单晶体管,即一个串联基极电阻和一个基极 - 发射极电阻。BRT 通过将这些独立元件集成到单个器件中,从而省去了它们

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特性:内置偏置电阻。 内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。 仅需设置开/关条件即可操作,使电路设计更简单。 互补PNP类型。应用:反相器。 接口

特性:互补PNP类型可用(DDTB)。 内置偏置电阻。 表面贴装封装,适合自动组装。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 符合JEDEC标准,具有高可靠性

特性:内置偏置电阻,R1 = 2.2kΩ,R2 = 10kΩ。 内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。 操作时只需设置开/关条件,使电路设计更简单。 互补NPN类型。应用:反相器。 接口

特性:内置偏置电阻,无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入负偏置,几乎完全消除寄生效应。 操作只需设置开/关条件,便于设备设计。 无卤,“绿色”器件。 湿度敏感度等级1。 环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级。 无铅涂层/符合RoHS标准(“P”后缀表示符合RoHS标准)

这种新型数字晶体管系列旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。BRT(偏置电阻晶体管)包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管,即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT通过将这些单独的组件集成到一个器件中,消除了这些组件。使用BRT可以降低系统成本和电路板空间。该器件采用SOT-23封装,专为低功率表面贴装应用而设计。

SOT-23 塑封封装 硅 PNP数字三极管 内装偏置电阻,简化线路设计,减少元件和制造流程 用于开关 /界面电路以及驱动电路中。

特性:内置偏置电阻。 内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入负偏置,且能完全消除寄生效应。 操作只需设置开/关条件,使电路设计变得简单。 互补PNP类型。 符合无铅/RoHS标准。应用:开关电路。 反相器电路

特性:内置偏置电阻。 内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入负偏置,且完全消除寄生效应。 操作只需设置开/关条件,使电路设计简单。 互补PNP类型。 无铅/符合RoHS标准。应用:开关电路。 反相器电路

特性:内置偏置电阻。 内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入负偏置,且完全消除寄生效应。 操作只需设置开/关条件,使电路设计简单。 互补NPN类型。 无铅/RoHS合规。应用:开关电路。 反相器电路

特性:内置偏置电阻,R1 = 10kΩ,R2 = 47kΩ。 内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。 操作时只需设置开/关条件,使电路设计简单。 互补NPN类型。应用:反相器。 接口

特性:内置偏置电阻,无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入正偏置,几乎完全消除寄生效应。 操作时只需设置开/关条件,便于设备设计