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BRT(偏置电阻晶体管)包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管,即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。这些数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。BRT通过将这些单独的组件集成到一个器件中,消除了这些组件。两个BRT器件封装在SOT-363封装中,适用于对电路板空间要求较高的低功率表面贴装应用。

这款数字晶体管为NPN型,其设计适用于多种电子电路。它具有50V的集射极击穿电压(Vceo),能够有效防止在较高电压条件下发生击穿现象,保障了使用的安全性。晶体管支持最大100mA的集电极电流(Ic),适合于小功率应用中的信号放大或开关操作。该晶体管可以应用于消费电子产品中,如音频设备和个人电子产品的小信号处理,提供稳定且高效的性能表现。

特性:外延平面管芯结构。 提供互补PNP类型(DDTA)。 内置偏置电阻,仅R1。 完全无铅,完全符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 DDTC(仅R1系列)E适用于需要特定变更控制的汽车应用,该部件符合AEC-Q101标准,具备PPAP能力,并在通过IATF 16949认证的工厂生产

特性:内置偏置电阻,无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入负偏置,几乎完全消除寄生效应。 只需设置开/关条件即可操作,便于设备设计

特性:内置偏置电阻,R1 = R2 = 2.2kΩ。内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。操作时只需设置开/关条件,使电路设计变得容易。应用:反相器。接口

特性:内置偏置电阻,R1 = R2 = 2.2kΩ。 内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。 仅需设置开/关条件即可操作,使电路设计简单。 互补NPN类型。应用:逆变器。 接口

特性:内置偏置电阻,R1 = R2 = 4.7kΩ。 内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。 仅需设置开/关条件即可操作,使电路设计更简单。 互补NPN类型。应用:反相器。 接口

特性:内置偏置电阻,无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入负偏置,几乎完全消除寄生效应。 操作只需设置开/关条件,便于设备设计。 无卤“绿色”器件。 湿度敏感度等级1。 环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级。 无铅涂层,符合RoHS标准

特性:内置偏置电阻。 内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。 操作时只需设置开/关条件,使电路设计变得简单。 互补NPN类型。应用:反相器。 接口

特性:外延平面芯片结构。 提供互补NPN类型(DDTC)。 内置偏置电阻,R1 = R2。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准,具有高可靠性。 具备PPAP能力

BRT(偏置电阻晶体管)包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管,即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。这些数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。BRT通过将这些单独的组件集成到一个器件中,消除了这些组件。两个BRT器件封装在SOT-363封装中,适用于对电路板空间要求较高的低功率表面贴装应用。

特性:内置偏置电阻,R1 = 4.7kΩ,R2 = 10kΩ。 内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。 仅需设置开/关条件即可操作,使电路设计更简单。 互补NPN类型:DTC143X系列。应用:反相器。 接口

特性:内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入负偏置,几乎完全消除寄生效应。操作时只需设置开/关条件,便于设备设计

特性:外延平面芯片结构。 有互补NPN类型(DDTC)。 内置偏置电阻,R1≠R2。 无铅、无卤素和无锑,符合RoHS标准的“绿色”器件

特性:外延平面管芯结构。 有互补PNP类型(DDTA)。 内置偏置电阻,R1 = R2。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准,具备高可靠性和PPAP能力

特性:外延平面管芯结构。 有互补PNP类型(DDTA)。 内置偏置电阻,R1≠R2。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑的“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准,可靠性高。 可提供PPAP文件

特性:内置偏置电阻,无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入负偏置,几乎完全消除寄生效应。仅需设置开/关条件即可操作,便于设备设计

特性:外延平面管芯结构。 有互补PNP类型(DDTA)。 内置偏置电阻,R1 = R2。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准,具备高可靠性和PPAP能力

该系列数字晶体管用于替代单个器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管和一个由两个电阻组成的单片偏置网络:一个串联基极电阻和一个基极发射电阻。该 BRT 将这些独立组件集成到了单个器件中,因此不再需要这些单独组件。采用 BRT 既可以降低系统成本,又可以节省板空间。

特性:内置偏置电阻,便于进行开关应用。 偏置电阻为薄膜电阻,完全隔离,允许负输入