Clestek · 电子元器件型号库
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特性:内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入负偏置,几乎完全消除寄生效应。 仅需设置开/关条件即可操作,使设备设计简单。 湿度敏感度等级为 1。 环氧树脂符合 UL 94 V-0 阻燃等级。 无铅表面处理,符合 RoHS 标准(后缀 “P” 表示符合 RoHS 标准)
特性:内置偏置电阻,无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入负偏置,几乎完全消除寄生效应。 只需设置开/关条件即可操作,便于设备设计
SOT23-6L 100mA 50V 带阻R1:10 R2:10 3K/盘、SOT23-6L、最小包装数量:3000
特性:内置偏置电阻,无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入负偏置,几乎完全消除寄生效应。 只需设置开/关条件即可操作,使设备设计更简单。 通过AEC-Q101认证
特性:内置偏置电阻,无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入负偏置,几乎完全消除寄生效应。 只需设置开/关条件即可操作,使设备设计更简单。 通过AEC-Q101认证
特性:内置偏置电阻,无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入正偏置,几乎完全消除寄生效应。 只需设置开/关条件即可操作,使设备设计更简单。 通过AEC-Q101认证
特性:内置偏置电阻,无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入负偏置,几乎完全消除寄生效应。 只需设置开/关条件即可操作,使设备设计更简单。 通过AEC-Q101认证
特性:内置偏置电阻,无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路(参见等效电路)。偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入负偏置,几乎完全消除寄生效应。仅需设置开/关条件即可操作,使设备设计变得容易
特性:DTA044E和DTC044E芯片采用EMT封装。 可使用EMT3自动贴装机进行贴装。 晶体管元件相互独立,消除干扰。 可将贴装成本和面积降低一半。应用:开关电路。 逆变器电路
特性:内置偏置电阻,无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入正偏置,几乎完全消除寄生效应。 操作时只需设置开/关条件,便于设备设计
特性:外延平面芯片结构。 提供互补PNP类型(DDA)。 内置偏置电阻。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 DDC(XXXX)UQs适用于需要特定变更控制的汽车应用,这些部件符合AEC-Q101标准,具备PPAP能力,并在通过IATF 16949认证的工厂生产
特性:内置偏置电阻,无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入负偏置,几乎完全消除寄生效应。 只需设置开/关条件即可操作,使设备设计更简单。 通过AEC-Q101认证
此系列数字晶体管适用于替换单器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管,搭载一个由两个电阻组成的单片偏置网络;一个串联基极电阻和一个基极-射极电阻。该 BRT 将这些组件集成到了一个器件中,因此不再需要这些外部组件。使用 BRT 可以同时降低系统成本和板空间。
该系列数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管,一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT 通过将这些单独的组件集成到单个器件中,消除了这些组件。使用 BRT 可以降低系统成本和电路板空间。
特性:外延平面管芯结构。 有互补PNP类型(DDTA)。 内置偏置电阻,R1≠R2。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑的“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准,可靠性高。 可提供PPAP文件
特性:供电电压 VO = 50V。 偏置电阻范围。 表面贴装封装,适合自动组装。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 适用于需要特定变更控制的汽车应用,这些部件通过 AEC-Q101 认证,具备 PPAP 能力,并在通过 IATF 16949 认证的工厂生产
BRT(偏置电阻晶体管)包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管,即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。这些数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。BRT通过将这些单独的组件集成到一个器件中,消除了这些组件。两个BRT器件封装在SOT-363封装中,适用于对电路板空间要求较高的低功率表面贴装应用。
这款数字晶体管属于NPN型,具有稳定的电气特性,适用于多种电路设计中。其集射极间最大承受电压(Vceo)为50V,确保了在高压环境下工作的可靠性。同时,该晶体管的最大集电极电流(Ic)可达50mA,能够满足一般驱动需求,适用于信号放大及开关应用中,是构建逻辑门电路或小型电子项目的理想选择。
特性:内置偏置电阻。 内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路。 只需设置开/关条件即可操作,使电路设计变得简单。 互补PNP类型。应用:反相器。 接口
特性:外延平面芯片结构。 提供互补NPN类型(DDTC)。 内置偏置电阻,R1 = R2。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准,具有高可靠性。 具备PPAP能力
我们可以协助查找停产料替代方案，也可以按功能参数反向选型。