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HGTD1N120BNS9A 基于无通冲孔 (NPT) IGBT 设计。此 IGBT 适用于低导通损耗至关重要的、在中等频率下运行的多种高电压开关应用,如 UPS、太阳能逆变器、电机控制和电源。

特性:高速H5技术,在硬开关和谐振拓扑中提供一流的效率。可插拔替换上一代IGBT。650V击穿电压。低栅极电荷QG。IGBT与全额定RAPID 1快速软反并联二极管共封装。最高结温175°C。应用:不间断电源。太阳能转换器

特性:短路耐受时间:10μs。适用于1200V应用的第二代TrenchStop技术,提供非常紧密的参数分布。高耐用性,温度稳定性能。由于VCE(sat)的正温度系数,易于并联。低电磁干扰。低栅极电荷。应用:变频器。不间断电源

安森美半导体的新型场截止第 2 代 IGBT 系列采用新型场截止 IGBT 技术,为太阳能逆变器、UPS、焊接机、电信、ESS 和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用。

特性:高速H5技术,在硬开关和谐振拓扑中提供一流的效率。 可即插即用替换上一代IGBT。 击穿电压650V。 低栅极电荷QG。 IGBT与RAPID 1快速软反并联二极管共封装。 最高结温175°C。应用:太阳能转换器。 不间断电源

特性:强大的单片体二极管,正向电压低。 TRENCHSTOPTM 技术应用提供: 非常紧密的参数分布。 高耐用性,温度稳定性能。 低集电极-发射极饱和电压(VcEsat)。 由于 VcEsat 具有正温度系数,易于并联开关。 低电磁干扰(EMI)。应用:电磁炉。 微波炉

40A1200V 英飞凌IGBT,广泛应用于电磁炉,电机,电焊机行业。

采用最新的第四代场截止(FieldStopIV)工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗。可应用于电焊机、UPS、SMPS以及PFC等领域。

安森美半导体的新型场截止第 4 代 IGBT 系列采用新型场截止 IGBT 技术,为太阳能逆变器、UPS、焊接机、电信、ESS 和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用提供优异性能。

特性:高速S5技术,适用于硬开关和软开关的高速平滑开关器件。极低的集电极-发射极饱和电压(VCEsat),标称电流下为1.42V。可即插即用替换上一代IGBT。650V击穿电压。低栅极电荷QG。IGBT与全额定RAPID 1快速反并联二极管共封装。应用:谐振转换器。不间断电源

特性:6.5 代。 RC-IGBT 由一个在 IGBT 芯片中单片集成的续流二极管 (FWD) 组成。 增强模式。 高速开关。 -IGBT:tf = 0.05 μs(典型值)(IC = 50A)。 -FWD:trr = 0.35 μs(典型值)(IF = 15A)。应用:电流谐振逆变器开关应用

特性:高速H5技术,在硬开关和谐振拓扑中提供一流的效率。 可直接替代上一代IGBT。 650V击穿电压。 低栅极电荷QG。 IGBT与RAPID 1快速软反并联二极管共封装。 最高结温175°C。应用:太阳能转换器。 不间断电源

适用于1200V应用的第二代TrenchStop,具有非常紧密的参数分布和高耐用性、温度稳定特性。由于VCE(sat)具有正温度系数,易于并联。具有低电磁干扰和低栅极电荷。采用软、快速恢复的反并联发射极控制二极管。

采用专有沟槽设计和先进的 FS(场截止)第二代技术,600V 沟槽 FSII IGBT 具有卓越的导通和开关性能,且易于并联操作。

这款 IGBT 采用了先进的 PowerMESHTM 工艺,可在开关性能和低导通状态特性之间实现出色的平衡。

这些器件是采用先进的PowerMESH技术开发的高速IGBT。该工艺确保了开关性能和低导通状态特性之间的出色平衡。

特性:高速H5技术,在硬开关和谐振拓扑中提供一流的效率。可即插即用替换上一代IGBT。击穿电压650V。低栅极电荷QG。IGBT与全额定RAPID 1快速软反并联二极管共封装。最高结温175°C。应用:不间断电源。太阳能转换器

此绝缘门双极晶体管 (IGBT) 采用耐用和成本高效的超场截止沟槽结构,在要求较高的开关应用中提供卓越的性能,还能提供低导通状态电压和最低的开关损耗。该 IGBT 非常适用于 UPS 和太阳能应用。该器件结合了一个软性和快速的共封装续流二极管,带有较低正向电压。

安森美半导体的新型场截止第 2 代 IGBT 系列采用新型场截止 IGBT 技术,为太阳能逆变器、UPS、焊接机、电信、ESS 和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用。