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特性:1200V TRENCHSTOP IGBT6技术。 硬开关和谐振拓扑中具有高效率。 由于VCEsat的正温度系数,易于并联。 低EMI。 低栅极电荷Qg。 非常软、快速恢复的全电流反并联二极管。应用:工业UPS。 充电器

特性:SCIS能量:在TJ = 25°C时为300 mJ。 逻辑电平栅极驱动。 通过AEC-Q101认证且具备PPAP能力。 这些器件无铅且符合RoHS标准。应用:汽车点火线圈驱动电路。 大电流点火系统

此绝缘门极双极晶体管 (IGBT) 采用坚固耐用、经济高效的超场截止沟槽结构,为要求苛刻的开关应用提供出色性能,提供低导通状态电压,并最大限度降低开关损耗。此款 IGBT 非常适合 UPS 和太阳能应用。该器件结合了一个软性和快速的组合封装续流二极管,带有低正向电压。

绝缘栅双极晶体管(IGBT)提供低传导和开关损耗。专为需要高速开关的应用而设计,如电机控制和通用逆变器。

特性:强大的单片体二极管,正向电压低,专为软换相设计。TRENCHSTOPTM 技术应用提供:非常紧密的参数分布。高耐用性,温度稳定性能。低 VCEsat。由于 VCEsat 具有正温度系数,易于并联开关。低 EMI。应用:感应烹饪。逆变微波炉

具有良好的导通和开关特性,易并联使用的特点。符合RoHS指令要求。

安森美半导体的 AN 系列 IGBT 采用 NPT 技术,提供了低导通和开关损耗。AN 系列为感应加热 (IH)、电机控制、通用型逆变器和不中断电源 (UPS) 等应用提供方案。

特性:硅芯片采用直接铜键合(DCB)基板。隔离安装表面。4000V电气隔离。高脉冲电流能力。低饱和电压。模塑环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级。应用:电容器放电。脉冲电路

沟槽栅场截止IGBT,M系列,650 V、15 A,低损耗

采用 TrenchStop® 和 Fieldstop 技术的 IGBT,配备软、快恢复反并联发射极控制 HE 二极管

电焊机 UPS 电源用 Vces=600V Ic=40A Ptot=336W Vce=1.90V 半电流续流二极管 TO-3P

飞兆半导体的场截止第二代 IGBT 新系列采用新型场截止 IGBT 技术,为光伏逆变器、UPS、焊机、通讯、ESS 和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用提供最佳性能。

电焊机 UPS 电源 用 半电流续流二极管 TO-3P

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特性:极低的VCE(sat):1.5V(典型值)。 最高结温:175°C。 短路耐受时间:5μs。 适用于600V应用的TRENCHSTOPTM和场截止技术,提供: -非常紧密的参数分布。 -高耐用性,温度稳定性能。 -非常高的开关速度。应用:空调逆变器

采用NCE专有的沟槽设计和先进的第二代FS(场截止)技术,600V沟槽FS II IGBT具备卓越的导通和开关性能,且易于并联运行。

特性:高阻断电压。 反并联二极管。 低传导损耗。 低栅极驱动要求。 高功率密度。应用:开关模式和谐振模式电源。 不间断电源 (UPS)

MLG30T65FDL-F IGBT类型:场截止沟槽,集射极击穿电压Vces=650V,集电极电流Ic=30A

650 V、6 A沟槽栅场截止低损耗M系列IGBT

光伏逆变 储能 UPS 电焊机