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特性:低 Vce (on) 沟槽 IGBT 技术。低开关损耗。最高结温 175°C。5μs 短路安全工作区。方形反向偏置安全工作区。100% 的部件经过 I(LM) 测试。正 Vce (on) 温度系数。超快软恢复共封装二极管。紧密的参数分布。无铅封装

提供低开关损耗、高能效和短路耐用性,适用于电机控制、不间断电源(UPS)、通用逆变器等应用。

安森美半导体的新型场截止沟槽 IGBT 系列采用创新的场截止沟槽 IGBT 技术,为太阳能逆变器、UPS、焊接机和 PFC 等硬开关应用提供最佳性能。

特性:强大的单片体二极管,正向电压低,专为软换流而设计。 TRENCHSTOPTM技术提供: -非常紧密的参数分布。 -高耐用性,温度稳定特性。 -低VCEsat。 -由于VCEsat具有正温度系数,易于并联开关。 低EMI。应用:感应烹饪。 微波炉

该IGBT采用先进的PowerMESHTM工艺,在开关性能和低导通状态特性之间实现了出色的平衡。

电焊机 UPB电源 电机驱动 变频器用 34mm 替代英飞凌infineon FF75R12RT4 士兰 ST Magnachip 75N120 75A 1200V IGBT Modules

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650V/6A/-40~+175°C/TO-252/替代STGD5H60DF

Field Stop Trench IGBTs 提供低开关损耗、高能效和短路耐用性。它专为电机控制、不间断电源 (UPS)、通用逆变器等应用而设计。

安森美半导体的新型场截止第 2 代 IGBT 采用新型场截止 IGBT 技术,为太阳能逆变器、UPS、焊接机、电感加热、电信、ESS 和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用。

Field Stop Trench IGBTs提供低开关损耗、高能效和短路耐用性。它专为电机控制、不间断电源(UPS)、通用逆变器等应用而设计。

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特性:低Vce(ON)沟槽IGBT技术。 低开关损耗。 最高结温175°C。 5μs短路安全工作区。 方形反向偏置安全工作区。 100%的器件进行ILM测试。 正Vce(ON)温度系数。 紧密的参数分布。 无铅封装

特性:扩展工作温度 TVJop。 低开关损耗。 低 VCEsat。 TVJop = 150°C。 VCEsat 具有正温度系数。 绝缘底板。应用:高频开关应用。 电机驱动

62mm C系列模块,带有快速沟槽/场截止IGBT4和发射极控制HE二极管

采用NCE专有的沟槽设计和先进的第二代FS(场截止)技术,600V沟槽FSII IGBT具备卓越的导通和开关性能,且易于并联运行。

提供低开关损耗、高能效和短路耐用性,适用于功率因数校正(PFC)、逆变式微波炉、感应加热(IH)、不间断电源(UPS)和通用逆变器等应用。

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场截止沟槽 IGBT 提供低开关损耗、高能效和短路耐用性。专为功率因数校正 (PFC)、逆变式 MwO、焊机、不间断电源 (UPS) 和通用转换器等应用而设计。

Vce=600V,Ic=30A,Vce(sat)=1.5V