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安森美半导体的新型场截止第 3 代 IGBT 系列采用新型场截止 IGBT 技术,为太阳能逆变器、UPS、焊接机、电信、ESS 和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用提供最佳性能。

采用专有的沟槽设计和先进的 FS(场截止)第二代技术,提供卓越的传导和开关性能,以及易于并联操作。

特性:强大的单片二极管,针对零电流开关(ZCS)应用进行了优化。TRENCHSTOPTM 5技术应用提供:高坚固性,温度稳定性能。极低的集电极-发射极饱和电压(VCEsat)和低E(max)。由于VCEsat的正温度系数,具有易于并联开关的能力。低电磁干扰(EMI)。电气参数对温度的依赖性低。应用:焊接。功率因数校正(PFC)

特性:TRENCHSTOPTM技术。极低的VCEsat。低EMI。最高结温175°C。符合JEDEC标准,适用于目标应用。无铅引脚镀层,无卤模塑料,符合RoHS标准。应用:不间断电源。焊接转换器

Vce=600V,Ic=80A,Vce(sat)=1.5V

此款为新型号与FGL60N100BNTD无区别

特性:电气特性: -扩展工作温度 TVJop。低开关损耗。高鲁棒性。VcEsat 具有正温度系数。低 VcEsat。 机械特性: -4 kV AC 1min 绝缘。应用:高功率转换器。 电机驱动

特性:温度保护:通过直接检测IGBT的结温提供。 低功耗和软开关。 具有过热保护的高性能、高可靠性IGBT。 内置控制电路中的部件数量大幅减少,可靠性更高

CRG40T60AN3S采用先进的沟槽FSIGBT技术,具有良好的导通和开关特性,易并联使用的特点。符合RoHS指令要求。

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Field Stop Trench IGBTs 提供低开关损耗、高能效和短路耐用性。它专为电机控制、不间断电源 (UPS)、通用逆变器等应用而设计。

采用新型场截止绝缘栅双极晶体管(IGBT)技术,全新系列的第三代场截止IGBT为焊机和工业应用提供了最佳性能,在这些应用中,低导通损耗和开关损耗至关重要。

600 V、60 A超高速沟槽栅场截止V系列IGBT

特性:高速平滑开关器件,适用于硬开关和软开关。 最高结温175°C。 正温度系数。 高耐用性,温度稳定。应用:谐振转换器。 不间断电源

特性:低集电极-发射极饱和电压。 短路耐受时间10μs。 通过AEC-Q101认证。 内置超快速软恢复FRD。 无铅镀铅;符合RoHS标准。应用:汽车和工业用通用逆变器

公开页面暂无产品说明。

特性:电气特性。 VCES = 1200 V。 ICnom = 200 A / ICRM = 400 A。 沟槽栅 IGBT7。 过载操作达 175°C。 低 VCESat。应用:辅助逆变器。 电机传动

特性:硅芯片采用直接铜键合(DCB)基板。 隔离安装表面。 4000V~ 电气隔离。 UL认证封装。 高脉冲电流能力。 低饱和电压。应用:电容放电。 脉冲电路

采用先进的沟槽栅场截止技术(Trench FS技术),集射极击穿电压Vces=650V,集电极电流Ic=10A,具有导通压降低和关断损耗小等优点,适用于光伏逆变,储能,UPS,电焊等应用场景

采用NCE专有的沟槽设计和先进的第二代FS(场截止)技术,600V沟槽FSII IGBT具备卓越的导通和开关性能,且易于并联运行。