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采用新型场截止绝缘栅双极型晶体管(IGBT)技术,仙童半导体的场截止IGBT为太阳能逆变器、不间断电源(UPS)、焊机和功率因数校正(PFC)应用提供了最佳性能,这些应用对低导通损耗和开关损耗有严格要求。

安森美半导体的新型场截止第 3 代 IGBT 系列采用新型场截止 IGBT 技术,为太阳能逆变器、UPS、焊接机、电信、ESS 和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用。

ISL9V3040D3ST-F085C 和 ISL9V3040S3ST-F085C 提供卓越的 SCIS 能力,采用节省空间的 D-Pak (TO-252)、以及行业标准 D-Pak (TO-263) 塑料封装。此器件适用于汽车点火电路,尤其适合用作线圈驱动器。内部二极管提供了电压箝位,而无需外部组件。EcoSPARK 器件可针对具体的箝位电压进行定制。有关更多信息,请联系最近的安森美半导体销售办公室。之前开发类型为 49362。

CRG50T65AK5HD采用先进的微沟槽FSIGBT技术,具有良好的导通和开关特性,易并联使用的特点。符合RoHS指令要求。

应用于不间断电源,逆变器,焊接转换器,PFC应用,转换器与高转换频率。

使用专有沟槽设计和先进的 FS(场截止)第二代技术,650V 沟槽 FS II IGBT 具有出色的导通和开关性能,并且易于并联操作。

安森美半导体的场截止 IGBT 采用新型场截止 IGBT 技术,为太阳能逆变器、UPS、焊接机、微波炉、电信、ESS 和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用提供优异性能。

特性:针对低传导损耗进行优化。 方形反向偏置安全工作区(RBSOA)。 高电流处理能力。 国际标准封装。 高功率密度。 低栅极驱动要求。应用:功率逆变器。 不间断电源(UPS)

650 V、80 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT

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特性:高速IGBT H3。低电感设计。低开关损耗。应用:3-Level-应用。太阳能应用

特性:高阻断电压。 低开关损耗。 高电流处理能力。 反并联二极管。 高功率密度。 低栅极驱动要求。应用:开关模式和谐振模式电源。 不间断电源(UPS)

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商品目录 IGBT;集射极击穿电压(Vces)650V;集电极电流(Ic)30A;耗散功率(Pd)125W;输出电容(Coes输出电容)50pF

CRG40T60AK3SD采用先进的沟槽FSIGBT技术,具有良好的导通和开关特性,易并联使用的特点。符合RoHS指令要求。

这些器件是超快绝缘栅双极型晶体管(IGBT)。它们采用了先进的Power MESHTM工艺,从而在开关性能和低导通状态特性之间实现了出色的平衡。

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特性:低集电极-发射极饱和电压。 高速开关。 低开关损耗和软开关。 具有低正向电压的单片体二极管。 无铅镀铅;符合RoHS标准。应用:电压谐振逆变器

1200 V、75 A高速沟槽栅场截止HB2系列IGBT,TO-247长引线封装