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特性:高阻断电压。国际标准封装。反并联二极管。低传导损耗。低栅极驱动要求。高功率密度。应用:开关模式和谐振模式电源。不间断电源 (UPS)

IGBT单管 3000V 55A 高压大电流 TO-264 国产

特性:低VCEsat,Tvrop = 150°C。 标准封装。应用:电机驱动。 伺服驱动器

特性:电气特性:扩展工作温度T(v_ijop)。 低V(CEsat)。 高鲁棒性。 V(CEsat)具有正温度系数。机械特性:4 kV AC 1min绝缘。 CTI > 400的封装。应用:高功率转换器。电机驱动器

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采用专有的沟槽设计和先进的FS(场截止)第二代技术,600V沟槽FSII IGBT具有卓越的导通和开关性能,且易于并联操作。

采用先进的沟槽栅场截止技术(Trench FS技术),集射极击穿电压Vces=600V,集电极电流Ic=60A,具有导通压降低和关断损耗小等优点,适用于光伏逆变,储能,UPS,电焊等应用场景

使用专有沟槽设计和先进的FS(场截止)第二代技术,1200V沟槽FSII IGBT提供卓越的传导和开关性能,以及易于并联操作。

CRG50T60AK3SD采用先进的沟槽FSIGBT技术,具有良好的导通和开关特性,易并联使用的特点。符合RoHS指令要求。

场截止沟槽 IGBT 提供低开关损耗、高能效和短路耐用性。它专为功率因数校正 (PFC)、逆变微波炉、焊机、不间断电源 (UPS) 和通用转换器等应用而设计。

ISL9V3040D3S、ISL9V3040S3S、ISL9V3040P3 和 ISL9V3040S3 为下一代点火 IGBT,在节省空间的 D-Pak (TO-252)、以及行业标准 D-Pak (TO-263)、TO-262 和 TO-220 塑料封装中提供卓越的 SCIS 功能。此器件适用于汽车点火电路,尤其适合用作线圈驱动器。内部二极管提供电压箝位,而无需外部组件。

该器件是一款采用先进的专有沟槽栅场截止结构开发的绝缘栅双极型晶体管(IGBT)。该器件属于MS系列IGBT,该系列是低损耗M系列的改进版本,凭借其在高母线电压值下出色的短路能力,特别为逆变器系统而设计。此外,其VCE(sat)温度系数略呈正特性,且参数分布极为紧密,这使得并联运行更加安全

IGBT模块

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IGBT模块

特性:高压封装。 高阻断电压。 高峰值电流能力。 低饱和电压。 低栅极驱动要求。 高功率密度。应用:开关模式和谐振模式电源。 不间断电源 (UPS)

IGBT模块

特性:扩展工作温度 TVJop。低开关损耗。低 VCEsat。TVJop = 150°C。VCEsat 具有正温度系数。应用:高功率转换器。电机驱动

这些器件是采用先进的PowerMESHTM技术开发的高速IGBT。该工艺确保了开关性能和低导通状态特性之间的出色平衡

HGTG5N120BND和HGTP5N120BND采用非穿通(NPT)绝缘栅双极型晶体管(IGBT)设计。它们是MOS栅控高压开关IGBT系列的新成员