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IGBT类型:场截止沟槽,集射极击穿电压Vces=650V,集电极电流Ic=120A

采用先进的沟槽栅场截止技术(Trench FS技术),集射极击穿电压Vces=650V,集电极电流Ic=80A,具有导通压降低和关断损耗小等优点,适用于光伏逆变,储能,UPS,电焊等应用场景

650 V、40 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT

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特性:高速F5技术,在硬开关和谐振拓扑中提供一流的效率。650V击穿电压。低栅极电荷QG。IGBT与RAPID 1快速软反向并联二极管共封装。最高结温175°C。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。应用:太阳能转换器。不间断电源

特性:极低的VCE(sat):1.5V(典型值)。 最高结温:175°C。 短路耐受时间:5μs。 紧密的参数分布。 高耐用性,温度稳定性能。 极高的开关速度。应用:变频器。 不间断电源

特性:TRENCHSTOPTM技术提供非常低的VCEsat。低EMI。非常软、快速恢复的反并联二极管。最高结温175°C。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。无铅引脚镀层;符合RoHS标准。应用:不间断电源。焊接转换器

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此IGBT采用先进的场截止沟槽IGBT技术,具有低VCE(SAT)、高开关性能和出色的质量。该器件适用于PFC、UPS和逆变器应用。

沟槽栅场截止IGBT,M系列,650 V、30 A,低损耗

IGBT单管 2000V 55A 高压 大电流 TO-264

特性:国际标准封装。高阻断电压。高电流处理能力。反并联二极管。高功率密度。低栅极驱动要求。应用:电容放电。交流开关

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沟槽栅场截止IGBT,M系列,650 V、15 A,低损耗

采用专有沟槽设计和先进的 FS(场截止)第二代技术,600V 沟槽 FSII IGBT 具有卓越的导通和开关性能,且易于并联操作。

采用先进的沟槽栅场截止技术(Trench FS技术),集射极击穿电压Vces=1200V,集电极电流Ic=40A,具有导通压降低和关断损耗小等优点,适用于光伏逆变,储能,UPS,电焊等应用场景

特性:提供高达1350V的高击穿电压,提高可靠性。 强大的单片体二极管,正向电压低,专为软换流设计。 参数分布非常紧密。 高耐用性,温度稳定性好。 低VCEsat。 由于VCEsat的正温度系数,易于并联开关。应用:感应烹饪。 逆变微波炉

使用专有沟槽设计和先进的FS(场截止)第二代技术,提供卓越的导通和开关性能,易于并联操作。