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采用先进的沟槽FSIGBT技术,具有良好的导通和开关特性,易并联使用的特点。符合RoHS指令要求。

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采用新洁能(NCE)专有的沟槽设计和先进的第二代场截止(FS)技术,650V沟槽场截止II代(Trench FS II)绝缘栅双极晶体管(IGBT)具备卓越的导通和开关性能,且易于并联运行。

采用先进的沟槽栅场截止技术(Trench FS技术),集射极击穿电压Vces=1200V,集电极电流Ic=40A,具有导通压降低和关断损耗小等优点,适用于光伏逆变,储能,UPS,电焊等应用场景

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此绝缘门双极晶体管 (IGBT) 采用耐用和成本高效的超场截止沟槽结构,在要求较高的开关应用中提供卓越的性能,还能提供低导通状态电压和最低的开关损耗。该 IGBT 非常适用于 UPS 和太阳能应用。该器件结合了一个软性和快速的共封装续流二极管,带有较低正向电压。

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使用新型场截止第7代IGBT技术和Gen7二极管,采用TO247 3引脚封装,为太阳能、UPS和ESS等各种应用中的高效运行提供低开关和传导损耗的最佳性能。

特性:CoolSiC Schottky二极管第5代。 高速IGBT H3。 低开关损耗。 3 kV AC 1min绝缘。 Al2O3基板,低热阻。 集成NTC温度传感器。应用:太阳能应用

特性:高阻断电压。 国际标准封装。 低传导损耗。 低栅极驱动要求。 高功率密度。应用:开关模式和谐振模式电源。 不间断电源 (UPS)

特性:低VCEsat-TrenchstopTM IGBT7。过载运行可达175°C。2.5 kV AC 1min绝缘。Al2O3基板,低热阻。高功率密度。紧凑设计。应用:辅助逆变器。空调

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IGBT模块

特性:低 VcEsat。 Tvop = 150°C。 VcEsat 具有正温度系数。 高功率密度。 绝缘底板。 标准外壳。应用:高功率转换器。 电机驱动器

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IGBT模块

特性:低开关损耗。 低VCEsat。 极高的鲁棒性。 VCEsat具有正温度系数。 外壳的CTI > 400。 高爬电距离和电气间隙。应用:高功率转换器。 电机驱动

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集电极-发射极电压:650V,集电极电流:12A,耗散功率:69W,广泛应用于光伏逆变器、储能、UPS、电焊机等。

集电极-发射极电压:600V,集电极电流:30A,耗散功率:40W,广泛应用于光伏逆变器、储能、UPS、电焊机等。