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IGBT类型:场截止沟槽,集射极击穿电压Vces=650V,集电极电流Ic=60A

该IGBT采用先进的PowerMESHTM工艺,在开关性能和低导通状态特性之间实现了出色的平衡。

特性:高速S5技术,为硬开关和软开关提供高速平滑开关装置。极低的VCEsat,标称电流下为1.35V。可直接替代上一代IGBT。650V击穿电压。低栅极电荷QG。IGBT与全额定RAPID 1快速反并联二极管共封装。应用:谐振转换器。不间断电源

安森美半导体的场截止 IGBT 采用新型场截止 IGBT 技术,为太阳能逆变器、UPS、焊接机、微波炉、电信、ESS 和 PFC 等导通和开关损耗至关重要的应用。

NGTB40N120FL3WG-HX-TO247采用沟槽和场截止技术的IGBT,配备软恢复快速反向并联二极管

特性:低开关损耗。 最高结温175°C。 正温度系数。 高耐用性,温度稳定。 高短路能力(10μs)。应用:电机驱动逆变器。 交流和直流伺服驱动放大器

采用新洁能(NCE)专有的沟槽设计和先进的第二代场截止(FS)技术,650V沟槽式FSII绝缘栅双极晶体管(IGBT)具备卓越的导通和开关性能,且易于并联运行。

特性:低集电极-发射极饱和电压。 最高结温 175°C。 通过 AEC-Q101 认证。 包含快速软恢复反并联 FWD。 高短路能力(10μs)。 符合 RoHS 标准。应用:汽车和工业通用逆变器。 交流和直流伺服驱动放大器

该器件是采用先进的PowerMESH技术开发的低降压内部钳位IGBT。这一工艺确保了开关性能和低导通状态特性之间的出色平衡。

特性:低集电极-发射极饱和电压:VCE(sat) = 1.35V 典型值(IC = 50A,VGE = 15V,Ta = 25°C)。 单封装内置快速恢复二极管。 沟槽栅和薄晶圆技术。 高速开关:tf = 74ns 典型值(IC = 30A,VCE = 400V,VGE = 15V,Rg = 5Ω,Ta = 25°C,感性负载)

特性:增加阻断电压能力至650V。 低电感设计。 低开关损耗。 低集电极-发射极饱和电压(VcEsat)。 Al2O3 基板,低热阻。 紧凑设计。应用:三电平应用。 太阳能应用

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特性:IGBT4 = 第四代快速沟槽式IGBT。CAL4 = 软开关第四代CAL二极管。采用DBC技术(直接键合铜)的隔离铜底板。提高了功率循环能力。集成栅极电阻。适用于高达20kHz的更高开关频率。应用:交流逆变器驱动。UPS

IGBT 70A 1700V TO-264封装 高压晶体管 大电流

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IGBT模块

特性:硅芯片采用直接铜键合(DCB)基板。隔离安装表面。4000V~电气隔离。高阻断电压。高峰值电流能力。低饱和电压。应用:开关模式和谐振模式电源。电容放电电路

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采用基于专利条形布局的最新高压技术,PowerMESH IGBT 是先进的 IGBT 系列,具有卓越的性能。后缀 “H” 表示该系列针对高频应用进行了优化,在保持低电压降的同时,实现了非常高的开关性能(缩短了下降时间 tfall)。