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采用先进的沟槽栅场截止技术(Trench FS技术),集射极击穿电压Vces=650V,集电极电流Ic=20A,具有导通压降低和关断损耗小等优点,适用于光伏逆变,储能,UPS,电焊等应用场景

IGBT类型:FS(场截止) 集射极击穿电压:600V 集电极电流:80A 耗散功率:298W 描述:IGBT类型:场截止沟槽,具有低导通和开关损耗等特性,主要应用于太阳能逆变器、UPS、焊机等领域

MLG30T65FUL IGBT类型:场截止沟槽,集射极击穿电压Vces=650V,集电极电流Ic=30A

提供低开关损耗、高能效和短路耐用性,适用于电机控制、不间断电源(UPS)、通用逆变器等应用。

MLG25N120RK采用先进的非穿通(NPT)技术,并集成了续流功能。这款1350V的绝缘栅双极晶体管(IGBT)具备卓越的导通和开关性能。

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采用先进的沟槽栅场截止技术(Trench FS技术),集射极击穿电压Vces=600V,集电极电流Ic=50A,具有导通压降低和关断损耗小等优点,适用于光伏逆变,储能,UPS,电焊等应用场景

采用先进的沟槽栅场截止技术(Trench FS技术),集射极击穿电压Vces=650V,集电极电流Ic=50A,具有导通压降低和关断损耗小等优点,适用于光伏逆变,储能,UPS,电焊等应用场景

该IGBT采用先进的PowerME5HTM工艺,在开关性能和低导通状态性能之间实现了出色的平衡。

采用专有沟槽设计和先进的FS(场截止)第二代技术,600V沟槽FSII IGBT提供卓越的导通和开关性能,以及易于并联操作。

特性:完整的产品系列和PSpice模型。 由于VCEsat具有正温度系数,易于并联开关。 高耐用性和稳定的温度特性。 低EMI。 无铅引脚镀层,符合RoHS标准。 强大的单片反向导通二极管,正向电压低。应用:感应烹饪。 微波炉

特性:低功耗。 低开关浪涌和噪声。 高可靠性,高耐用性(RBSOA、SCSOA等)。应用:不间断电源。 光伏功率调节器

650 V、60 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT

FGL40N120ANDTU-HX的AND系列绝缘栅双极型晶体管(IGBT)采用了非穿通(NPT)技术,具有低导通和开关损耗,因此非常适合用于感应加热(IH)、电机控制、通用逆变器和不间断电源(UPS)等应用。

采用沟槽和场截止技术的高速DuoPack绝缘栅双极型晶体管(IGBT),配备软恢复、快速恢复的反并联二极管。

特性:针对5-30kHz开关进行优化。 方形反向偏置安全工作区(RBSOA)。 反并联超快二极管。 雪崩能力。 短路能力。 国际标准封装。应用:功率逆变器。 不间断电源(UPS)

特性:高速H3技术提供: 硬开关和谐振拓扑中的高效率。 在Tv = 175°C时,具有10μs的短路耐受时间。 由于VcEsat的正温度系数,易于并联。 低电磁干扰。 低栅极电荷Qg。 非常软、快速恢复的全电流反并联二极管。应用:工业UPS。 充电器

N沟道 1200V 140A 1.7mΩ@10v 功率(Pd)962W 阈值电压(Vgs(th)@Id) 4V@250uA

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