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特性:低 VcEsat。 TrenchstopTM IGBT7。 高达 175°C 的过载运行。 2.5 kV 交流 1 分钟绝缘。 Al2O3 低热阻基板。 高功率密度。应用:辅助逆变器。 空调

MSG55T300HLC0,3000V/55A 超高压大电流 IGBT,TO-247,低损耗,适用于高压SMPS、UPS及电容放电电路等

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MG100P12E2-A1-0000

特性:低Vce(sat)。 低电感。 模块结构。 焊接引脚端子。应用:电机驱动逆变器。 交流和直流伺服驱动器

特性:650V,10A(Tc = 100°C)。 VCE(sat)(typ.) = 1.8V(VGE = 15V,Ic = 10A)。 高速开关。 电机控制的高系统效率。 软电流关断波形。应用:电机驱动。 家用电器

使用专有沟槽设计和先进的 FS(场截止)第二代技术,600V 沟槽 FSII IGBT 具有卓越的导通和开关性能,且易于并联操作。

IGBT类型:场截止沟槽,集射极击穿电压Vces=600V,集电极电流Ic=100A

采用先进的沟槽栅场截止技术(Trench FS技术),集射极击穿电压Vces=650V,集电极电流Ic=40A,具有导通压降低和关断损耗小等优点,适用于光伏逆变,储能,UPS,电焊等应用场景

IGBT类型:场截止沟槽,集射极击穿电压Vces=1350V,集电极电流Ic=25A

IGBT类型:场截止沟槽,集射极击穿电压Vces=650V,集电极电流Ic=30A

采用先进的沟槽栅场截止技术(Trench FS技术),集射极击穿电压Vces=600V,集电极电流Ic=40A,具有导通压降低和关断损耗小等优点,适用于光伏逆变,储能,UPS,电焊等应用场景

最新的AlphalGBT (α IGBT) 技术。650V击穿电压。非常快速且软恢复的续流二极管。高效的导通di/dt可控性。低VCE/SAT实现高效率。低关断开关损耗和软度。良好的EMI性能。高短路耐受能力

集射极击穿电压(Vces):1.2kV 集电极电流(Ic):40A 耗散功率(Pd):428W 输出电容(Coes):89pF 描述:采用先进的沟槽截止技术,具有低VCE(sat),优化的开关性能和低栅极电荷Qg的优势

1200 V、40 A高速沟槽栅场截止H系列IGBT

采用新型场截止绝缘栅双极型晶体管(IGBT)技术,全新系列的第四代场截止IGBT为太阳能逆变器、不间断电源(UPS)、焊机、电信、储能系统(ESS)和功率因数校正(PFC)应用提供了最佳性能,这些应用对低导通损耗和开关损耗有严格要求。